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산화물 박막 내에 양자점이 임베딩된 비휘발성 메모리소자 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015181257
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약	본 발명은 반도체 양자점을 산화물에 임베딩시킨 비휘발성 메모리소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 보다 자세하게는 기판상에 형성된 산화물 박막 내에 양자점이 임베딩된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래 활용되고 있는 Si CMOS 공정을 활용하여 다양한 반도체 양자점을 산화물에 임베딩시킨 비휘발성 메모리 소자를 경제적으로 생산할 수 있게 된다. 또한 본 발명에 의하면, Si 웨이퍼 상에서 저비용으로 빛의 신호를 저장하거나 저장된 신호를 빛으로 발생시킬 수 있는 포토닉스 소자 및 전자소자와 포토닉스 소자가 집적된 소자를 생산할 수 있게 된다.
Int. CL	H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC	H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자	1020100014182 (2010.02.17)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2011-0094638 (2011.08.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.02.17)
심사청구항수	5

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김의태	대한민국	대전광역시 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김원준	대한민국	대전광역시 서구 둔산대로*번길 , 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2010-0103443-88
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0226466-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.05.31	수리 (Accepted)	4-1-2011-5108981-12
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.06.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0477776-26
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.06.23	수리 (Accepted)	1-1-2011-0477819-02
6	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2011.12.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0770169-19
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.12.26	수리 (Accepted)	4-1-2013-5174286-48
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90

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번호	청구항
1	1 기판상에 형성된 산화물 박막을 포함하여 이루어지는 비휘발성 메모리 소자에 있어서,상기 산화물 박막 내에 양자점이 임베딩된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2	2 제 1 항에 있어서,상기 기판의 재질은 Si이나 GaAs 반도체인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
3	3 제 1 항에 있어서,상기 산화물은 TiO2, SiO2, Hf2O3, Y2O3, ZrO2, Al2O3, Cu2O, BN, MnO 및 V2O3로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
4	4 제 1 항에 있어서,상기 양자점은 CdS, CdSe, CdSe/ZnS, PbS, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb 및 SiC로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
5	5 제 1 항에 있어서,상기 양자점은 리간드가 제거된 상태인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
6	6 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 의한 비휘발성 메모리 소자의 제조방법으로서,(A) 양자점을 기판에 코팅하는 단계;(B) 상기 양자점이 코팅된 기판에 산화물 박막을 증착하는 단계;를 포함하여 산화물 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 단계(A)에서 사용되는 양자점의 표면의 리간드가 SHCH2CH2OOH (MPA)로 치환되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
8	8 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 단계(B)에서의 증착은 100~200℃에서 플라즈마 금속유기화학기상증착법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
9	9 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 단계(A)와 단계(B) 사이에 기판에 코팅된 양자점에서 리간드를 제거하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 양자점이 코팅된 기판을 50~150℃에서 수소 분위기 플라즈마로 표면처리하여 리간드를 제거하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20110198680	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2011198680	US	미국	DOCDBFAMILY

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2010-0103443-88
2	의견제출통지서	2011.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0226466-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2011.05.31	수리 (Accepted)	4-1-2011-5108981-12
4	[명세서등 보정]보정서	2011.06.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0477776-26
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.06.23	수리 (Accepted)	1-1-2011-0477819-02
6	거절결정서	2011.12.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0770169-19
7	출원인정보변경(경정)신고서	2013.12.26	수리 (Accepted)	4-1-2013-5174286-48
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90


과제고유번호	1345127429
세부과제번호	2008-0061222
연구과제명	나노선-양자점 간의 광여기 캐리어 이동특성 연구와 고효율 태양전지로의 응용
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	충남대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200809~201108
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020110008705]	그라핀-산화물반도체 이종접합 소자 및 그의 제조방법	새창보기
[1020100014182]	산화물 박막 내에 양자점이 임베딩된 비휘발성 메모리소자 및 그의 제조방법	새창보기

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