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양극 산화 알루미늄을 이용한 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프, 그 제조 방법, 및 이를 통해제작된 구조물

  • 기술번호 : KST2015182246
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 공정으로 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작이 가능한 스탬프 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 나아가 상기 스탬프를 이용하여 제작한 복합 구조물에 관한 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면, 본 발명은 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법에 있어서, 다수의 나노 구멍들을 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿을 형성하는 단계; 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿의 상부 표면이 노출되도록 다수의 포토레지스트 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트 구멍들은 이웃하는 구멍들의 간격 및 직경 중 적어도 어느 하나가 마이크로 크기가 되도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 스탬프는 포토레지스트를 고형화하여 이용할 수 있기 때문에, 용도에 따라서는 저렴하게 제작이 가능하다. 공정의 관점에서, 별도의 얼라인먼트 등의 공정이 불필요하기 때문에 대량 복제시 공정이 용이할 뿐만 아니라, 성형품과 쉽게 분리될 수 있는 구조적 장점이 있다. 또한, 포토레지스트를 이용하여 스탬프의 마이크로 구조를 디자인하므로, 마이크로/나노 복합구조를 유지하면서도 패턴을 다양하게 형성할 수 있는 장점이 있다.더불어, 본 발명의 스탬프는 금속으로 제작이 가능하여 내구성이 우수하고, 장기간 사용이 가능한 장점이 있다. 초소수성, 하이브리드, 스탬프, 몰드
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0015(2013.01) G03F 7/0015(2013.01)
출원번호/일자 1020080084961 (2008.08.29)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0987987-0000 (2010.10.08)
공개번호/일자 10-2010-0026101 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.29)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동성 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박동민 대한민국 서울특별시 종로구 새문안로*길 **, 도렴빌딩 ***호 (도렴동)(특허법인남촌)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0616710-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0621470-68
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0619790-60
4 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2008.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0110523-31
5 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2008.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0121291-91
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022517-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0228697-56
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0385999-86
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.16 무효 (Invalidation) 1-1-2010-0385989-29
11 보정요구서
Request for Amendment
2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0057815-38
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2010.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0426208-07
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2010.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0059598-61
14 등록결정서
Decision to grant
2010.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0392180-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법에 있어서, 다수의 나노 구멍들을 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿을 형성하는 단계; 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿의 상부 표면이 노출되도록 다수의 포토레지스트 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트 구멍들은 이웃하는 구멍들의 간격 및 직경 중 적어도 어느 하나가 마이크로 크기가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
2 2
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법에 있어서, 다수의 나노 구멍들을 갖는 양극 산화 알루미늄 템플릿을 형성하는 단계; 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿의 상부 표면이 노출되도록 다수의 포토레지스트 구멍을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트가 제거되어 노출된 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 상에 금속을 적층하는 단계; 및 잔존하는 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트 구멍의 직경은 마이크로 크기가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 양극 산화 알루미늄 템플릿 상에 금속을 적층하는 단계는 스퍼터링, 이온 빔 증착, 레이저 유도 리플로우, CVD, 전기도금 및 무전해도금법 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
4 4
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법에 있어서, 벌크 알루미늄의 표면을 연마하여 표면을 고르게 하는 단계; 상기 알루미늄 표면을 산화시켜 상기 알루미늄 표면에 나노 딤플 구조를 형성하는 단계; 상기 알루미늄 표면 위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하여 상기 알루미늄 표면이 노출되도록 다수의 포토레지스트 구멍을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트 구멍들은 이웃하는 구멍들의 간격 및 직경 중 적어도 어느 하나가 마이크로 크기가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토레지스트 구멍은 마이크로 크기의 측벽으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
6 6
제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 포토레지스트가 패턴화되어 고형화된 상태에서 전해 도금을 수행하여 음각의 원형을 제작하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프의 제조 방법
7 7
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프에 있어서, 다수의 나노 구멍들을 갖는 양극 산화 알루미늄(AAO)으로 구성되는 나노 구조물 층; 및 상기 나노 구조물 층 위에 배치되고, 이웃하는 구멍과의 간격이 마이크로 크기로 형성되는 다수의 구멍들이 형성되며, 상기 다수의 구멍들에서 상기 나노 구조물 층의 상부 표면이 노출되도록 형성되는 마이크로 구조물 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프
8 8
제7항에 있어서, 상기 마이크로 구조물 층에 형성된 상기 구멍의 직경 및 높이 중 적어도 하나는 마이크로 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프
9 9
제7항에 있어서, 상기 마이크로 구조물 층은 고형화된 포토레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프
10 10
제7항에 있어서, 상기 마이크로 구조물 층은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프
11 11
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프에 있어서, 다수의 나노 딤플들을 갖는 나노 구조물 층; 및 상기 나노 구조물 층 위에 배치되고, 이웃하는 구멍과의 간격이 마이크로 크기로 형성되는 다수의 구멍들이 형성되며, 상기 다수의 구멍들에서 상기 나노 구조물 층의 상부 표면이 노출되도록 형성되는 마이크로 구조물 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면 제작용 스탬프
12 12
초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면을 갖는 복합 구조물에 있어서, 상기 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항의 스탬프에 의해 형성되어 마이크로 및 나노 크기의 구조물 층이 혼재된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 초소수성 마이크로/나노 복합구조 표면을 갖는 복합 구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(한국과학재단) 중앙대학교 산학협력단 특정연구개발사업-21세기 프론티어 연구개발 사업 초소수성 마이크로/나노 하이브리드 표면 제작용 양극 산화알루미늄 스탬프 제작 및 복제기술개발