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I족 및 Ⅲ족 원소를 포함하는 화합물을 증발원으로 하여 공급하면서 Ⅵ족 원소를 과잉으로 공급하여 기판상에 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 화합물의 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 증발원으로 ⅠⅢⅥ2 화합물의 결정 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 증발원으로 I2Ⅵ와 Ⅲ2Ⅵ3 화합물 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 증발원으로 I족 원소와 Ⅲ족 원소를 사용하는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판이 GaAs 또는 ZnSe에서 선택된 것임을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 5에 있어서, 상기 기판이 GaAs인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 I족 원소는 Cu, Ag에서 선택된 것이고, Ⅲ족 원소는 Ga, Al 또는 In에서 선택된 것이며, Ⅵ족 원소는 Se, S 또는 Te인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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8
청구항 7에 있어서, 상기 I족 원소는 Ag이고, Ⅲ족 원소는 Ga이며, Ⅵ족 원소는 Se인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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9
청구항 8에 있어서, 상기 기판이 GaAs 또는 ZnSe에서 선택된 것임을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 기판이 GaAs인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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11
청구항 1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 성장은 HWE(Hot-Wall Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Co-evaporation에서 선택된 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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12
청구항 11에 있어서, 상기 I족 원소는 Cu, Ag에서 선택된 것이고, Ⅲ족 원소는 Ga, Al 또는 In에서 선택된 것이며, Ⅵ족 원소는 Se, S 또는 Te인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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13
청구항 12에 있어서, 상기 I족 원소는 Ag이고, Ⅲ족 원소는 Ga이며, Ⅵ족 원소는 Se인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 13에 있어서, 상기 기판이 GaAs 또는 ZnSe에서 선택된 것임을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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청구항 14에 있어서, 상기 기판이 GaAs인 것을 특징으로 하는 CuAu상 ⅠⅢⅥ2 단결정 박막의 형성방법
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