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전압 제어 발진기에 있어서,상보적으로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터 및 제1 NMOS 트랜지스터;일단이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 AC 그라운드와 대응되는 노드 A와 연결되며, 변압기의 1차측 권선을 구성하는 제1-1 인덕터;일단이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 변압기의 2차측 권선을 구성하는 제2-1 인덕터; 일단이 상기 노드 A와 연결되고, 타단이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되며, 변압기의 1차측 권선을 구성하는 제1-2 인덕터; 및일단이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 타단이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 변압기의 2차측 권선을 구성하는 제2-2 인덕터;를 포함하되, 상기 제1-1 인덕터와 상기 제2-1 인덕터는 제1 변압기를 형성하고, 상기 제1-2 인덕터와 상기 제2-2 인덕터는 제2 변압기를 형성하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서, 상기 전압 제어 발진기는,상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소소 전극과 연결되어 전류를 공급하는 제1 전류원;일단이 상기 제1-1 전류원의 입력단과 연결되고, 타단이 상기 제1 전류원의 출력단 및 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스 전극과 연결되는 제1 캐패시터;일단이 상기 제1 전류원의 출력단, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스 전극 및 상기 제1 캐패시터의 타단과 연결되고, 타단이 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인 전극, 상기 제1-1 인덕터의 일단 및 상기 제2-2 인덕터의 타단과 연결되는 제2 캐패시터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제2항에 있어서, 상기 전압 제어 발진기는,상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소소 전극으로 연결되어 전류를 공급하는 제2 전류원;일단이 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 제1-2 인덕터의 타단 및 상기 제2-1 인덕터의 일단과 연결되는 제3 캐패시터; 및일단이 상기 제2 전류원의 입력단, 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 소스 전극 및 상기 제3 캐패시터의 타단과 연결되고, 타단이 상기 제2 전류원의 출력단과 연결되는 제4 캐패시터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제3항에 있어서, 상기 제1 전류원은 제2 PMOS 트랜지스터로 구성되되, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스 전극은 상기 제1 전류원의 입력단과 대응되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 전류원의 출력단과 대응되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 노드 A와 연결되고, 상기 제2 전류원은 제2 NMOS 트랜지스터로 구성되되, 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 전류원의 입력단과 대응되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 소스 전극은 상기 제2 전류원의 출력단과 대응되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 노드 A와 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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전압 제어 발진기에 있어서,상보적으로 연결된 PMOS 트랜지스터 및 NMOS 트랜지스터;일단이 상기 PMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 상기 NMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되며, 변압기의 1차측 권선을 구성하는 제1 인덕터;일단이 상기 NMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 변압기의 2차측 권선을 구성하는 제2-1 인덕터; 및 일단이 상기 NMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 타단이 상기 PMOS 트랜지스터의 드래인 전극과 연결되고, 타단이 변압기의 2차측 권선을 구성하는 제2-2 인덕터;를 포함하되, 상기 제1 인덕터와 상기 제2-1 인덕터는 제1 변압기를 형성하고, 상기 제1 인덕터와 상기 제2-2 인덕터는 제2 변압기를 형성하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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