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게르마늄 중심 덴드리머 화합물, 이를 포함하는 유기광전자소자

  • 기술번호 : KST2015182521
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게르마늄 중심 덴드리머 화합물, 이를 포함하는 유기광전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기광전자소자는 높은 발광 능력 및 발광 효율을 구현할 수 있고, 유기광전자소자의 열적 안정성(내열성)을 향상시켜 수명이 증가될 수 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01) C07F 7/30 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC C07F 7/30(2013.01) C07F 7/30(2013.01) C07F 7/30(2013.01) C07F 7/30(2013.01) C07F 7/30(2013.01) C07F 7/30(2013.01)
출원번호/일자 1020130080512 (2013.07.09)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0006952 (2015.01.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020150178401;
심사청구여부/일자 Y (2013.07.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광용 대한민국 서울 서초구
2 손호준 대한민국 서울 동작구
3 이태원 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0618056-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028482-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0065869-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0309922-05
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0309921-59
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590339-56
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0949350-22
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0949351-78
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0779508-08
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2015.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-1223502-72
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 구조를 갖는 게르마늄 중심 덴드리머 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알콕시기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 할로겐기 및 하기 화학식 2 내지 하기 화학식 6 중 어느 하나를 나타내며,[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] [화학식 6]상기 화학식 2 내지 6에서, X는 C-(R11) 또는 N을 나타내고, Y는 C-(R12)2, N-Lc-Ar3, O 또는 S를 나타내고,R5 내지 R12는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,La, Lb, 및 Lc는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬렌기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기를 나타내고,Ar1, Ar2, 및 Ar3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기 또는 아민기를 나타내며,R1 내지 R12, La 내지 Lc 및 Ar1 내지 Ar3의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알콕시기 또는 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기를 나타내며,R1, R2, R3 및 R4의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 화합물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기 또는 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기를 나타내며,R1, R2, R3 및 R4의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 화합물
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식 2를 나타내며,[화학식 2] 상기 화학식 2에서,La 및 Lb는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬렌기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기를 나타내고,Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내며,R1, R2, R3, R4, La, Lb, Ar1 및 Ar2의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 화합물
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식 3를 나타내며,[화학식 3] 상기 화학식 3에서,X는 C-(R11) 또는 N을 나타내고,R11은 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 3 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,R1, R2, R3, R4 및 R11의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 화합물
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식 4를 나타내며,[화학식 4] 상기 화학식 4에서,Y는 C-(R12)2, N-Lc-Ar3, O 또는 S를 나타내고,R12는 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 3 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,Lc는 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬렌기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기를 나타내고, Ar3는 수소, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내며, R1, R2, R3, R4, R12, Lc 및 Ar3의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되는 화합물
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식 5를 나타내며,[화학식 5] 상기 화학식 5에서,R5 내지 R7은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,R1 내지 R7의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 화합물
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 하기 화학식 6를 나타내며,[화학식 6]상기 화학식 6에서,R8 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,R1 내지 R4 및 R8 내지 R10의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 화합물
9 9
제 1 항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 게르마늄을 중심으로 대칭 구조인 것을 특징으로 하는 화합물
10 10
제 1 항에 있어서, 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 구조 1 내지 27로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 화합물
11 11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기광전자소자
12 12
제 11 항에 있어서,유기광전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지 또는 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자
13 13
제 11 항에 있어서,유기광전자소자는 유기발광소자이고,상기 유기발광소자는,제 1 전극, 유기층 및 제2 전극을 포함하고,상기 유기층은, 정공 수송층, 발광층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 한 층 이상을 포함하며, 상기 유기층을 이루는 층 중 한 층 이상은 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기광전자소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101971485 KR 대한민국 FAMILY
2 US10770663 US 미국 FAMILY
3 US20160141520 US 미국 FAMILY
4 WO2015005680 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016141520 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2015005680 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 정사면체 무정형 유기 광전자 소재 개발