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그래핀층; 및상기 그래핀층의 일면 또는 양면에 형성되고, 하기 화학식 1의 구조를 갖는 아민계 화합물을 포함하는 코팅층을 포함하는 그래핀 복합층:[화학식 1]상기 화학식 1에서, L은 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬렌기를 나타내고,R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알케닐기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 알콕시기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 할로겐기, 하기 화학식 2 내지 하기 화학식 5 중 어느 하나를 나타내며,[화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6]X는 C-(R11) 또는 N을 나타내고, Y는 C-(R12)2, N-Lc-Ar3, O 또는 S를 나타내고,R5 내지 R12는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,La, Lb, 및 Lc는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10을 갖는 알킬렌기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기를 나타내고,Ar1, Ar2, 및 Ar3는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기 또는 아민기를 나타내며,R1 내지 R12 및 L의 수소들 중 하나 이상은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30을 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 1 내지 30을 갖는 아실기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아실옥시기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬아미노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴아미노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴아미노기, 탄소수 2 내지 30을 갖는 디알킬포스피노기, 탄소수 12 내지 30을 갖는 디아릴포스피노기, 탄소수 7 내지 30을 갖는 알킬아릴포스피노기, 아민기, 할로겐기, 시아노기, 나이트로기, 하이드록시기 및 카르복시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다
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