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금속-텅스테이트 및 금속 염을 포함하는 수용액에 음이온 작용기를 포함하는 고분자를 첨가하여 수열 합성을 수행함으로써 금속-텅스테이트 나노막대를 합성하는 단계; 및,상기 금속-텅스테이트 나노막대를 열처리에 의해 환원시켜 텅스텐 브론즈를 수득하는 단계를 포함하는, 헥사고날 텅스텐 브론즈(hexagonal tungsten bronze)의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트에 포함된 상기 금속은 Na, Cs, K, Rb, Tl, Ba, In, Li, Ca, Sr, Fe, Sn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 염은 황산염, 인산염, 질산염, 초산염, 탄산염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 염에 포함된 상기 금속은 Na, Cs, K, Li, Rb, Cu, Mg, Pb, Fe, Zn, Ti, Ba, In, Al, Hg, Cd, V, Mn, Sr, Ni, Co, Cr, Sn, Ca, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 음이온 작용기를 포함하는 고분자는 설포네이트기, 포스페이트기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 음이온 작용기를 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트 나노막대를 합성하는 단계에서, 상기 음이온 작용기를 포함하는 고분자의 농도에 의해 상기 금속-텅스테이트 나노막대의 길이가 조절되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트 나노막대의 길이는 400 nm 내지 6,000 nm 범위에서 조절되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 500℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
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