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헥사고날 텅스텐 브론즈, 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015182672
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 헥사고날 구조를 가지는 텅스텐 브론즈의 제조 방법, 및 이에 의해 제조된 텅스텐 브론즈를 제공한다.
Int. CL C01G 41/00 (2006.01) B01J 6/00 (2006.01) C01G 3/00 (2006.01)
CPC C01G 41/02(2013.01) C01G 41/02(2013.01) C01G 41/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130093768 (2013.08.07)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1529140-0000 (2015.06.10)
공개번호/일자 10-2015-0017816 (2015.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박주현 대한민국 대전 유성구
2 김정태 대한민국 서울 강동구
3 문경환 대한민국 서울 마포구
4 최재혁 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0716791-76
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0736776-59
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0757678-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0041324-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0658500-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1145877-24
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1145885-90
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0210566-02
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0411897-66
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0411898-12
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0383659-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속-텅스테이트 및 금속 염을 포함하는 수용액에 음이온 작용기를 포함하는 고분자를 첨가하여 수열 합성을 수행함으로써 금속-텅스테이트 나노막대를 합성하는 단계; 및,상기 금속-텅스테이트 나노막대를 열처리에 의해 환원시켜 텅스텐 브론즈를 수득하는 단계를 포함하는, 헥사고날 텅스텐 브론즈(hexagonal tungsten bronze)의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트에 포함된 상기 금속은 Na, Cs, K, Rb, Tl, Ba, In, Li, Ca, Sr, Fe, Sn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 염은 황산염, 인산염, 질산염, 초산염, 탄산염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 염에 포함된 상기 금속은 Na, Cs, K, Li, Rb, Cu, Mg, Pb, Fe, Zn, Ti, Ba, In, Al, Hg, Cd, V, Mn, Sr, Ni, Co, Cr, Sn, Ca, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 음이온 작용기를 포함하는 고분자는 설포네이트기, 포스페이트기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 음이온 작용기를 포함하는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트 나노막대를 합성하는 단계에서, 상기 음이온 작용기를 포함하는 고분자의 농도에 의해 상기 금속-텅스테이트 나노막대의 길이가 조절되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 금속-텅스테이트 나노막대의 길이는 400 nm 내지 6,000 nm 범위에서 조절되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 500℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것인, 헥사고날 텅스텐 브론즈의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 중앙대학교 산학협력단 소재원천기술개발사업 4차/페로브스카잇 기반 투명 열저항 나노복합체 개발