1 |
1
하기 화학식 1의 구조를 나타내는 화합물
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,X는 S를 나타내고,Ar은 탄소수 3 내지 20의 아릴기를 나타내고,R1 및 R2는 각각 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고,R3은 카르복시기를 나타내고,R4는 시아노기를 나타내며,n은 1 내지 2의 정수인 화합물
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 구조 1 내지 51로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 화합물
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,밴드갭은 1
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,광 흡수극대는 300 내지 550 nm 범위인 것을 특징으로 하는 화합물
|
6 |
6
하기 반응식 1 및 반응식 2를 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 화합물의 제조방법:[반응식 1][반응식 2]상기 반응식 1 및 반응식 2에서,X는 S, Se, Te 또는 O를 나타내고,Ar은 탄소수 3 내지 20의 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기를 나타내고,R1 및 R2는 각각 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 20의 아릴기를 나타내고,R3은 수소, 카르복시기 또는 포스폰산기를 나타내고,R4는 수소, 카르복시기, 시아노기, 니트로기 또는 술폰화기를 나타내며,n은 1 내지 3의 정수이다
|
7 |
7
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 태양전지
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,제1 전극;반도체 물질 및 제 1 항에 따른 화합물을 포함하는 전해질층; 및제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,광전변환 효율은 3% 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
|
10 |
10
제 7 항에 있어서,300 내지 550 nm 범위에서 입사광자의 전류변환 효율(incident photon to current conversion efficiency, IPCE)은 50% 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
|