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표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속콜로이드 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 센서칩

  • 기술번호 : KST2015183132
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판에 관한 것으로서, 본 발명에서는 금속층이 형성된 지지체 상에 매개층을 활용하여 나노 사이즈의 금 콜로이드를 흡착시킴으로서 SPR 감도를 크게 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 소량의 시료를 사용하여도 고감도로 물질 분석이 가능한 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판의 제조방법과 이를 포함하는 센서칩을 제공한다.
Int. CL G01N 33/00 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 1/405(2013.01) G01N 1/405(2013.01) G01N 1/405(2013.01) G01N 1/405(2013.01)
출원번호/일자 1020070028287 (2007.03.22)
출원인 한국식품연구원
등록번호/일자 10-0873439-0000 (2008.12.04)
공개번호/일자 10-2008-0086291 (2008.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20081211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국식품연구원 대한민국 전라북도 완주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용진 대한민국 서울 송파구
2 김철진 대한민국 경기 광주시
3 김종태 대한민국 경기 성남시 분당구
4 전향숙 대한민국 서울 서초구
5 최성욱 대한민국 경기 수원시 영통구
6 고성호 대한민국 경기 성남시 분당구
7 김재호 대한민국 경기 성남시 분당구
8 김효섭 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0228836-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5159529-44
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.11.02 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064252-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2008-5001157-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0179571-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0394992-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0394981-17
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0501271-44
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0779800-47
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0779807-66
12 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0604109-04
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.10.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5184087-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.13 수리 (Accepted) 4-1-2014-0008534-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2017-5155082-90
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5135028-45
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5176835-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5030341-61
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.04 수리 (Accepted) 4-1-2020-5124131-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.08 수리 (Accepted) 4-1-2020-5203003-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지체 상에 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층 상에 아민(-NH2) 또는 싸이올(-SH) 관능기(functional group)를 갖는 유기 단분자를 도입하여 매개층을 형성하는 단계; 및 상기 매개층이 형성된 지지체를 20∼40nm의 콜로이드 크기를 갖는 금속 콜로이드 용액에 5 내지 30분간 침지시켜, 유기 단분자 상에 금속 콜로이드의 표면농도가 109/cm2 내지 1012/cm2 이 되도록 흡착시키는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 지지체상에 형성된 금속층은 금 또는 은을 증착하여 형성된 것임을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판의 제조방법
3 3
삭제
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 금속 콜로이드 용액은 금 콜로이드 용액 또는 은 콜로이드 용액인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판의 제조방법
5 5
삭제
6 6
지지체와; 상기 지지체상에 증착된 금속층; 상기 금속층 상에 아민(-NH2) 또는 싸이올(-SH) 관능기(functional group)를 갖는 유기 단분자를 도입하여서 형성된 매개층과; 상기 매개층이 형성된 지지체를 20∼40nm의 콜로이드 크기를 갖는 금속 콜로이드 용액에 5 내지 30분간 침지시켜 상기 매개층 상에 흡착된 상태로 형성되며, 그 크기가 20∼40nm이고 표면농도가 109/cm2 내지 1012/cm2 인 금속 콜로이드;로 이루어진 것임을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 지지체상에 형성된 금속층은 금 또는 은을 증착하여 형성된 것임을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판
8 8
삭제
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 금속 콜로이드는 금 콜로이드 또는 은 콜로이드인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 기술을 이용한 센서칩용 나노금속 콜로이드 기판
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.