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과전위 신소재 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015184939
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수 처리나 반도체 세척에 사용되는 오존(O3)이나 차아염소산(HOCL)을 전기분해식으로 발생시킬 때 종래의 DSA전극이 적은 전위창을 가지는 점을 개선하기 위하여, 티타늄 메쉬 기판을 염산 에칭하고, 지르코늄혼합물 코팅용액을 졸 상태로 만들어 딥코팅과 소결 과정을 반복함으로써 넓은 전위창을 갖게 하여 전극의 산업적, 상업적 이용가치를 높일 수 있는 과전위 신소재 전극 및 그에 따른 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.또한, 본 발명의 과전의 신소재 전극은 종래의 DSA전극에 비해 보다 화학적으로 안정하고, 높은 저항에도 견딜 수 있으며, 1.5V 이상의 전압에도 전극에 무리가 없어 과전위에서 견딜 수 있는 효과를 가진다.과전위, 지르코늄, 지르코늄 산화물, 티타늄, 티타늄 메쉬, 전극, 신소재 전극
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01)
출원번호/일자 1020060050756 (2006.06.07)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0767342-0000 (2007.10.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.07)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박수길 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 손원근 대한민국 대전 서구
3 김한주 대한민국 충북 청주시 상당구
4 김태정 대한민국 충북 진천군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정상섭 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로***, ***호(가산동, 에이스하이엔드타워*차)(특허법인 충무 에디아 분사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0398376-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0013088-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0190447-31
5 의견서
Written Opinion		 2007.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0407967-48
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0407987-51
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0539108-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판이 되는 티타늄 메쉬를 염산 에칭을 하는 에칭단계(S10);상기 단계와는 별도로 지르코늄 산화물을 무수에탄올에 용해시켜 졸 상태의 용액을 제조하는 코팅액 제조단계(S20);상기 에칭된 티타늄 메쉬를 졸 상태의 지르코늄 혼합물에 딥 코팅 법으로 티타늄 메쉬 표면에 코팅한 후, 코팅된 전극을 자연건조하고, 소성하고, 다시 딥 코팅과 소성과정을 반복하는 코팅단계(S30);마지막으로, 코팅단계를 거친 전극을 가열하여 굳게 하는 소결단계(S40);를 포함하여 지르코늄 혼합물 코팅 전극을 제조하는 것에 있어서,상기 에칭단계(S10)의 염산 에칭은 20~50% 염산을 사용하여 25~80℃에서 10~60분 담그는 것을 특징으로 하는 과전위 신소재 전극의 제조방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 코팅액 제조단계(S20)는 지르코늄 옥시 클로라이드를 무수 에탄올에 일정 비로 첨가하여 25~80℃에서 10~60분 교반한 후, 혼합물 용액을 졸 상태로 만들기 위해 2~3일 동안 25~80℃에서 숙성을 하여 딥 코팅 용액의 제조하는 것을 특징으로 하는 과전위 신소재 전극의 제조방법
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