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단전자 나노소자의 제작방법 및 그에 따른 단전자 나노소자

  • 기술번호 : KST2015184989
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단전자 나노소자의 제작방법 및 그에 따른 단전자 나노소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 확산기법을 사용하여 도핑함으로써 측면게이트의 전계효과를 양자점으로 효과적으로 전달할 수 있고, 실리콘 산화막을 더 형성함으로써 게이트 누설전류를 방지하고, 측면게이트에 인가되는 전압을 향상시켜 측면게이트에 의한 터널링 장벽과 다중양자점의 형성 및 쿨롱진동의 위상제어가 용이한 단전자 나노소자의 제작방법 및 그에 따라 제작된 단전자 나노소자에 관한 것이다. SOI 기판, 단전자 나노소자, 양자점, 쿨롱진동, 확산, 측면게이트
Int. CL H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020050089930 (2005.09.23)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1050875-0000 (2011.07.14)
공개번호/일자 10-2007-0034407 (2007.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 이상돈 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 신 승 준 대한민국 강원 평창군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-5117750-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2007-5095424-70
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0539738-17
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0138174-96
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0138190-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0138182-51
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0462476-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0816305-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0816302-83
10 등록결정서
Decision to grant
2011.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0337263-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판과 실리콘 산화막과 위층 실리콘이 순차적으로 적층된 SOI기판의 상기 위층 실리콘을 식각하여 소오스, 드레인, 전도채널 및 상기 전도채널에 대하여 수직방향으로 형성되는 다수개의 측면게이트를 형성하는 단계; 상기 전도채널의 하부인 상기 실리콘 산화막을 일부 식각하는 단계; 상기 전도채널을 덮는 도핑마스크를 형성하는 단계; 상기 도핑마스크 이용하여 상기 소오스의 일부, 상기 드레인의 일부, 상기 다수개의 측면게이트 각각의 일부를 도핑하는 단계; 상기 SOI기판의 상부에 게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 SOI기판의 상부에 제어게이트를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 도핑단계로 인하여 상기 도핑된 영역에서 도핑되지 않은 영역으로 도핑물질이 확산되어 상기 측면게이트의 모든 영역이 도핑되는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도핑마스크 형성단계는, 포토리소그래피법을 적용하여 포토레지스트로 상기 도핑마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 도핑단계는 적어도 2회 반복되는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 게이트산화막 형성단계와 상기 제어게이트 형성단계 사이에는, 상기 실리콘 산화막과 다른 별도의 실리콘 산화막을 형성하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막 형성단계는 화학기상증착법에 의하는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 다수개의 측면게이트는 각각 수 나노미터~수십 나노미터의 간격으로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제작방법
8 8
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항중 어느 한 항에 따른 단전자 나노소자의 제작방법에 의하여 제작된 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.