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단전자 플렉시블 다기능 논리회로 및 이것을 이용한 소자

  • 기술번호 : KST2015184997
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적어도 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor)와 동수의 전계효과 트랜지스터를 이용하여 전류의 방향을 직렬 또는 병렬로 전환할 수 있게 하고, 단전자 트랜지스터(SET)의 고유 특성인 쿨롱 진동을 이용하여 다중치 신호로 연산 가능하게 함으로써, 한 개의 논리 회로로 NAND, OR, NOR, 그리고 AND의 4가지 기본 논리 회로로 변환 가능하도록 하는 플렉시블 다기능 논리회로 및 이것을 이용한 소자에 관한 것이다. 이를 구현하기 위하여 수단으로서, 각각 측면게이트(Gate1,Gate2)와 입력 전압단자(Vin1,Vin2)가 구비된 적어도 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor:SET1,SET2); 일정한 전류를 인가하는 정전류원(VD); 정전류원(VD)으로부터 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)에 일정한 드레인 전압을 유지시켜 주는 제1 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor:FET1); 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)로의 전류 흐름을 결정해 주는 적어도 하나의 제2 전계효과 트랜지스터(FET2); 그리고, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)의 ON/OFF 동작에 따라 전류의 흐름 방향이 바뀌는 두 개의 단자(Port1, Port2);를 포함한다. 다중치, 전계효과 트랜지스터, 단전자 트랜지스터, 논리회로
Int. CL H03K 19/094 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060130097 (2006.12.19)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0906930-0000 (2009.07.01)
공개번호/일자 10-2008-0056919 (2008.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20090710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 이창근 대한민국 서울 구로구
3 김상진 대한민국 충북 청원군
4 황재호 대한민국 경북 봉화군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0940676-35
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0309282-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5063077-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2007-5095424-70
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0589948-04
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0601081-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0605981-77
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0617548-46
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050507-85
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0636528-15
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0093149-65
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0093148-19
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0256018-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
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번호 청구항
1 1
각각 측면게이트(Gate1,Gate2)와 입력 전압단자(Vin1, Vin2)가 구비된 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(Single Eletron Transistor: SET1,SET2); 일정한 전류를 인가하는 정전류원(VD); 상기 정전류원(VD)으로부터 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)에 일정한 드레인 전압을 유지시켜 주는 제1 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET1); 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)로의 전류 흐름을 결정해 주는 적어도 하나의 제2 전계효과 트랜지스터(FET2); 그리고, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)의 ON/OFF 동작에 따라 전류의 흐름 방향이 바뀌는 두 개의 단자(Port1, Port2);를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)는 ON이 됨에 따라 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)를 병렬로 구성하여 NOR 논리 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)는 ON 상태에서 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)의 측면 게이트에 전압을 공급하여 이들 단전자 트랜지스터의 쿨롱 진동의 위상을 180°조정함에 따라 AND 논리 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)는 OFF가 됨에 따라 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)를 직렬로 구성하여 NAND 논리 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)는 OFF 상태에서 상기 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(SET1,SET2)의 측면게이트에 전압을 공급하여 이들 단전자 트랜지스터의 쿨롱 진동의 위상을 180°조정함에 따라 OR 논리 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제2 전계효과 트랜지스터(FET2)는 디플리션(depletion) 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 각 측면게이트(Gate1,Gate2)는 쿨롱진동의 위상차를 180°만큼 변화시켜 주는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로
8 8
반도체 기판상에 적층된 절연층에 서로 마주보는 형태로 한쌍의 양자점(QD)을 갖도록 정의된 활성영역; 상기 각 양자점(QD)의 바깥측면에 형성된 각 터널 졍션을 사이에 두고 대칭으로 배치되는 한쌍의 반도체 영역; 상기 한쌍의 양자점(QD)을 사이에 두고 상기 활성영역 상에 형성되는 두 개의 단자; 상기 양자점 사이에 위치하도록 형성된 컨트롤 게이트; 그리고, 양단이 각각 상기 양자점 상에 오도록 형성되는 한 쌍의 측면 게이트;를 포함하여 이루어지며, 상기 활성영역과 컨트롤 게이트 사이에 게이트 산화막이 형성되며, 상기 한 쌍의 측면 게이트와 활성영역으로 불순물을 주입하여 이들 측면 게이트를 도핑시킴과 동시에 이온주입된 반도체 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로 소자
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 한 쌍의 측면 게이트와 컨트롤 게이트 그리고 두 개의 단자는 전자빔 리소그래피 방식으로 동일 평면 상에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 단전자 플렉시블 다기능 논리회로 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101444001 CN 중국 FAMILY
2 JP21532896 JP 일본 FAMILY
3 US07746118 US 미국 FAMILY
4 US20090251172 US 미국 FAMILY
5 WO2008075826 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101444001 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 DE112007001260 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2009532896 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009532896 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009532896 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2009251172 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7746118 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2008075826 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.