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상온 동작 단전자 나노소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015185017
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온 동작을 위한 단전자 나노소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 하층 게이트에 의하여 양자점의 터널링 장벽을 임의로 제어 가능하게 하고, 상층 게이트에 의하여 양자점의 에너지 준위를 변화시켜 상온에서도 동작가능한 단전자 나노소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 실현하기 위한 수단으로 본 발명에 따르는 상온 동작을 위한 단전자 나노소자의 제조방법은, 제1실리콘층(12),산화막층(11) 및 제2실리콘층(10)으로 이루어진 기판의 제1실리콘층(12)을 식각하여 소오스(S) 영역과 드레인(D) 영역 및 수 나노미터 스케일의 전도채널(CH)을 형성하는 전도채널 형성단계(S10); 산화막층(11)과 제1실리콘층(12)의 상면에 제1산화막(13)을 성막하는 제1산화막 성막단계(S20); 제1산화막(13) 위에 제1폴리실리콘층(14)을 적층하는 제1폴리실리콘층 적층단계(S30); 전도채널에 직교하도록 수 나노미터 선폭의 미세패턴의 레지스트(15a,15b)를 형성하는 미세패턴 레지스트 형성단계(S40); 미세패턴 레지스트(15a,15b)를 마스크로 하여 제1폴리실리콘층(14)을 식각하여 하층게이트(14a, 14b)를 형성하는 하층게이트 형성단계(S50); 제1산화막(13)과 미세패턴 레지스트(15a,15b)의 상면에 제2산화막(16)을 형성하는 제2산화막 형성단계(S60); 제2산화막(16)에 제2폴리실리콘층(17)을 적층하는 제2폴리실리콘층 적층단계(S70); 제2폴리실리콘층(17)을 식각하여 상층게이트(17a)를 형성하는 상층게이트 형성단계(S80); 미세패턴 레지스트(15a, 15b)와 상층게이트(17a)를 마스크로 하여, 전도채널을 제외한 영역을 도핑하는 도핑단계(S90); 제1실리콘층(12)의 소오스 영역 및 드레인 영역에 트렌치(13a)를 형성하는 트렌치 형성단계(S100); 트렌치(13a)가 형성된 소오스 영역과 드레인 영역에 금속패드(18, 19)를 형성하는 금속패드 형성단계(S110);로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 또한, 이러한 방법에 의하여 제조된 상온동작 단전자 나노소자를 제공한다. 단전자, 나노소자, 상온동작, 양자점, 터널링 장벽, 에너지 준위, 상층게이트, 하층게이트
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01)
출원번호/일자 1020070093458 (2007.09.14)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0968032-0000 (2010.06.28)
공개번호/일자 10-2009-0028127 (2009.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 신 승 준 대한민국 강원 평창군
3 이종진 대한민국 충북 청주시 상당구
4 이창근 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0666665-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5179320-78
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0084416-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0248406-51
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0248414-16
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003117-49
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0030443-34
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0127407-06
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0127406-50
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0261945-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
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번호 청구항
1 1
제1실리콘층(12),산화막층(11) 및 제2실리콘층(10)으로 이루어진 기판의 제1실리콘층(12)을 식각하여 소오스(S)영역, 드레인(D)영역 및 수 나노미터 스케일의 전도채널(CH)을 형성하는 전도채널 형성단계(S10); 상기 산화막층(11)과 상기 제1실리콘층(12)의 상면에 제1산화막(13)을 성막하는 제1산화막 성막단계(S20); 상기 제1산화막(13) 위에 제1폴리실리콘층(14)을 적층하는 제1폴리실리콘층 적층단계(S30); 상기 전도채널(CH)에 직교하도록 수 나노미터 선폭의 미세패턴의 레지스트(15a,15b)를 형성하는 미세패턴 레지스트 형성단계(S40); 상기 미세패턴 레지스트(15a,15b)를 마스크로 하여 상기 제1폴리실리콘층(14)을 식각하여 하층게이트(14a, 14b)를 형성하는 하층게이트 형성단계(S50); 상기 제1산화막(13)과 상기 미세패턴 레지스트(15a,15b)의 상면에 제2산화막(16)을 성막하는 제2산화막 성막단계(S60); 상기 제2산화막(16)에 제2폴리실리콘층(17)을 적층하는 제2폴리실리콘층 적층단계(S70); 상기 제2폴리실리콘층(17)을 식각하여 상층게이트(17a)를 형성하는 상층게이트 형성단계(S80); 상기 미세패턴 레지스트(15a,15b)와 상기 상층게이트(17a)를 마스크로 하여, 전도채널(CH)을 제외한 영역을 도핑하는 도핑단계(S90); 상기 제1실리콘층(12)의 소오스(S) 영역 및 드레인(D) 영역에 트렌치(13a)를 형성하는 트렌치(13a) 형성단계(S100); 상기 트렌치(13a)가 형성된 상기 제1실리콘층(12)의 상면에 금속패드(18, 19)를 형성하는 금속패드 형성단계(S110);로 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 나노소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전도채널 형성단계(S10)는 전자빔 리소그래피, 포토 리소그래피 또는 FIB기법을 이용하여 수 나노미터 스케일의 상기 전도채널(CH)을 형성하는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 나노소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1산화막 성막단계(S20) 및 상기 제2산화막 성막단계(S60)는 열산화 공정 또는 CVD기법에 의한 적층공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 나노소자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 상층게이트 형성단계(S80)는 이방성 식각으로 상기 제2폴리실리콘층(17)을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 나노소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 하층게이트 형성단계(S50)와 상기 제2산화막 성막단계(S60) 사이에, 상기 미세패턴 레지스트(15a,15b)를 마스크로 하여 전도채널을 제외한 영역을 도핑하는 보조도핑단계(S55)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 단전자 나노소자의 제조방법
6 6
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.