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다중 양자점 나노소자의 제작방법 및 그에 따른 다중 양자점 나노소자

  • 기술번호 : KST2015185030
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 다중 양자점 나노소자의 제작방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자빔 감광막, 특히 음성 전자빔 감광막(Negative Electron-beam Resist: NER)을 사용하여 다중 양자점을 형성할 수 있는 제작방법과 그에 따라 제조된 다중 양자점 나노소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 다중 양자점 나노소자의 제작방법은 하층 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막과 상부 실리콘층이 순서대로 적층된 SOI기판의 상부 실리콘층에 전도채널을 형성하는 단계; 전도채널을 제외한 영역에 불순물을 도핑하여 소오스와 드레인 영역을 형성하는 단계; SOI 기판의 상부에 실리콘 산화막을 성막하여 하층게이트 산화막을 형성하는 단계; 전도채널에 직교하도록 적어도 하나 이상의 미세패턴을 형성하는 단계; SOI기판의 상면에 폴리실리콘층을 적층하는 단계; 미세패턴의 측면에 폴리실리콘 라인의 하층 게이트를 형성하는 단계; SOI기판의 상면에 상층게이트 산화막을 형성하는 단계; 및 상층 게이트 산화막 상에 금속을 증착하여 상층 게이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 양자점, 전자빔 감광막
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01)
출원번호/일자 1020060098175 (2006.10.09)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1036692-0000 (2011.05.17)
공개번호/일자 10-2008-0032685 (2008.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 신 승 준 대한민국 강원 평창군
3 정래식 대한민국 경상북도
4 이종진 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0729225-18
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0314663-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2007-5095424-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5179320-78
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0320851-23
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0331622-32
7 보정요구서
Request for Amendment
2008.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0062553-30
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0617168-34
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0617226-95
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0330066-83
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0624196-25
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0680828-85
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0680825-48
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0044573-78
15 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.02.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0006859-99
16 등록결정서
Decision to grant
2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0218960-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하층 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막과 상부 실리콘층이 순서대로 적층된 SOI기판의 상기 상부 실리콘층에 전도채널을 형성하는 단계; 상기 전도채널을 제외한 영역에 불순물을 도핑하여 소오스와 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 SOI 기판의 상부에 실리콘 산화막을 성막하여 하층게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 전도채널에 직교하도록 적어도 하나의 미세패턴을 형성하는 단계; 상기 SOI기판의 상면에 폴리실리콘층을 적층하는 단계; 상기 미세패턴의 측면에 폴리실리콘 라인의 하층 게이트를 형성하는 단계; 상기 SOI기판의 상면에 상층게이트 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 상층 게이트 산화막 상에 금속을 증착하여 상층 게이트를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 하층게이트 산화막 형성단계는 열산화 공정에 의하며, 상기 전도채널 형성단계는 전자빔 리소그래피 또는 포토리소그래피법을 적용하며, 상기 미세패턴은 전자빔 감광막을 이용한 전자빔 리소그래피법에 의하며, 상기 하층게이트 형성단계에서 상기 폴리실리콘 라인은 이방성 식각에 의하여 상기 미세패턴의 측면에 형성되며, 상기 하층 실리콘 기판의 하부에 금속층을 증착하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다중 양자점 나노소자의 제작방법
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하층 실리콘 기판 위에 실리콘 산화막과 상부 실리콘층이 순서대로 적층된 SOI기판의 상기 상부 실리콘층에 전도채널을 형성하는 단계; 상기 전도채널을 제외한 영역에 불순물을 도핑하여 소오스와 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 SOI 기판의 상부에 실리콘 산화막을 성막하여 하층게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 SOI 기판의 상면에 폴리실리콘층을 성층하는 단계; 상기 전도채널에 직교하도록 적어도 하나의 미세패턴을 형성하는 단계; 상기 미세패턴을 마스크로 상기 폴리실리콘층을 식각함으로써 상기 미세패턴의 하부에 폴리실리콘 라인의 하층게이트를 형성하는 단계; 상기 SOI기판의 상면에 상층게이트 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 상층 게이트 산화막 상에 금속을 증착하여 상층 게이트를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 하층게이트 산화막 형성단계는 열산화 공정에 의하며, 상기 전도채널 형성단계는 전자빔 리소그래피 또는 포토리소그래피법을 적용하며, 상기 미세패턴은 전자빔 감광막을 이용한 전자빔 리소그래피법에 의하며, 상기 하층 실리콘 기판의 하부에 금속층을 증착하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다중 양자점 나노소자의 제작방법
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제 1항 또는 제 2항의 제작방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 다중 양자점 나노소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.