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병렬 연결된 다중양자점 소자의 구조

  • 기술번호 : KST2015185128
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실용적인 양자연산을 구현할 수 있는 반도체 소자의 구조 및 제조방법에 대한 것으로서, 양자연산을 구현하는데 필수인 DiVincenzo의 다섯 가지 조건을 모두 만족시키는 병렬 연결된 다중양자점 소자의 구조 및 제조방법을 제시한다.먼저 SOI 웨이퍼의 상층실리콘층(Top Silicon Layer) 위에 전자빔 리소그래피 등의 방법을 이용하여 도 1의 1a, 1b, 1c가 이어진 형태로 레지스트(Resist)가 남도록 패터닝하고 이 레지스트를 마스크로 삼아 마스크가 없는 부분의 상층실리콘이 모두 제거되어 매몰산화층(Buried Oxide Layer)이 드러날 때까지 식각한 다음 레지스트를 제거한다. 그리고 이온주입을 통해 P형 실리콘 영역(1b)과 N형 실리콘 영역(1a, 1c)을 형성한다.전기적인 절연을 위해 상층실리콘층 표면에 실리콘산화막 또는 하프늄산화막 등의 유전막(Dielectric Layer)을 형성한 다음 금속 또는 도핑된 폴리실리콘 등 전기전도도가 높은 물질과 전자빔 리소그래피 등의 방법을 이용해 터널링 장벽 게이트(101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b)와 커플링 게이트(201, 202, 203, 204) 그리고 센서 게이트(301, 302, 303)를 각각 도 1에 도시된 위치에 동시에 형성한다.마지막으로 전기적인 절연을 위해 웨이퍼 표면 전체를 유전막으로 감싼 후 P형 실리콘 영역(1b) 위에 금속 또는 도핑된 폴리실리콘으로 반전층 게이트를 형성한다.이처럼 SOI 웨이퍼를 사용하여 본 발명에서 제시하는 구조를 가진 소자를 제작함으로써 DiVincenzo의 다섯 가지 조건을 모두 만족시킬 수 있다. 따라서 실용적인 양자연산이 가능해져 정보통신 분야의 비약적인 발전이 기대된다.양자연산, 양자점
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 29/66977(2013.01) H01L 29/66977(2013.01) H01L 29/66977(2013.01) H01L 29/66977(2013.01)
출원번호/일자 1020090078082 (2009.08.24)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1563748-0000 (2015.10.21)
공개번호/일자 10-2011-0020463 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20151027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.25)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 이종진 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0515777-05
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0569139-95
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0596086-58
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0593325-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0045659-91
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0394002-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0782165-65
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0886157-16
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0886158-51
13 등록결정서
Decision to grant
2015.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0683246-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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SOI 웨이퍼의 상층실리콘층에 구비되며 길이방향이 세로방향인 P형 실리콘 영역과, 각각이 상기 P형 실리콘 영역에 교차되어 연결되며 길이방향이 가로방향인 복수의 N형 실리콘 영역;각각의 일측 끝단이 상기 N형 실리콘 영역 상단측에 연결되는 복수의 터널링 장벽게이트;각각의 일측 끝단이 상기 P형 실리콘 영역 상단측에 연결되는 복수의 커플링 게이트;각각의 일측 끝단이 상기 P형 실리콘 영역과 상기 N형 실리콘 영역이 교차되는 교차영역에 연결되는 복수의 센서 게이트;상기 P형 실리콘 영역, 상기 N형 실리콘 영역, 상기 터널링 장벽게이트, 상기 커플링 게이트 및 상기 센서 게이트 표면에 형성되는 유전막; 및상기 P형 실리콘 영역 상에 형성되는 반전층 게이트를 포함하고, 상기 터널링 장벽게이트는 상기 교차영역을 기준으로 양단의 N형 실리콘 영역 각각에 연결되며, 상기 커플링 게이트는 상기 교차영역을 기준으로 양단의 P형 실리콘 영역 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 병렬 연결된 다중양자점 소자의 구조
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.