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제1기판(100) 상부 표면에 제1층(200)을 형성하는 단계; 제1층(100)을 부분적으로 제거하는 단계; 제2층(300)을 형성하는 단계; 제3층(400)을 형성하는 단계; 제1층(200)이 드러나도록 평탄화하는 단계; 제4층(500)을 형성하는 단계; 제2기판(101)을 부착 또는 증착하는 단계; 제1기판(100)을 제거 또는 분리하는 단계; 제3층(400)이 드러나도록 평탄화하는 단계; 제2층(300)을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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제 1항에 있어서,제1기판(100) 상부 표면에 제1층(200)을 형성하는 단계 직전에 제1기판(100) 상부에 버퍼층을 형성하거나 소정의 깊이에 이온을 주입하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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제 1항에 있어서,제4층(500)을 형성하는 단계 직후에 제5층(600)을 형성하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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제 1항에 있어서,제4층(500)을 형성하는 단계를 생략하거나 제2층(300)을 제거하는 단계로 대체하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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제 1항에 있어서,제2기판(101)을 부착하는 단계 직전에 웨이퍼 상부를 평탄화하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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제 1항에 있어서,제3층(400)이 드러나도록 평탄화하는 단계 직후에 제6층(700)을 형성하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 나노채널 제작방법
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