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RF 부성저항 회로; 및상기 RF 부성저항 회로와 교차 결합된 상보형 발진기를 포함하되,상기 RF 부성저항 회로는 제1 인덕터와, 한 쌍의 부성저항 트랜지스터로 이루어지며, 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 양단에 연결되고, 소스가 상기 상보형 발진기에 연결되는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고, 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 일측에 연결되는 제1 부성저항 트랜지스터와, 드레인이 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제1 인덕터의 타측에 연결되는 제2 부성저항 트랜지스터로 이루어지고, 상기 상보형 발진기는 제2 인덕터와, 상보적인 특성을 갖도록 상기 제2 인덕터와 연결된 한 쌍의 상보형 트랜지스터를 포함하되, 상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터는 제1 상보형 트랜지스터와 제2 상보형 트랜지스터이고, 상기 제1 상보형 트랜지스터는 소스가 전원에 연결되고, 게이트가 상기 제2 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 일측에 연결되는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터이고, 상기 제2 상보형 트랜지스터는 소스가 접지에 연결되고, 게이트가 상기 제1 상보형 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 드레인이 상기 제2 인덕터의 타측에 연결되는 NMOS 트랜지스터인 것임을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 1에 있어서,상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터는 소스가 상기 제2 인덕터의 양단과 상기 한 쌍의 상보형 트랜지스터의 교점에 연결되는 것임을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 4에 있어서,상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트와 연결된 제1 인덕터의 공통 노드에 게이트 전원이 연결되고, 상기 게이트 전원을 통하여 상기 한 쌍의 부성저항 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 5에 있어서, 상기 고주파 신호 발생기는 상기 제1 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제1 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제1 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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청구항 5에 있어서, 상기 고주파 신호 발생기는 상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 한 쌍의 제2 가변 커패시터를 더 포함하고, 상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터에 전압을 공급하고, 상기 한 쌍의 제2 가변 커패시터의 커패시터 값을 변경하는 방식으로 출력신호의 주파수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 고주파 신호 발생기
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