맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로

  • 기술번호 : KST2015185428
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로에 관한 것으로서, 과충전 전압 검출기와, 과방전 전압 검출기와, 충전 과전류 검출기와 방전 과전류 검출기와, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기와, 온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로와, 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함한다. 또한 본 발명에 따르면, 온도 변화에도 일정한 과전류를 검출할 수 있으므로 배터리 보호회로의 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G01R 19/165 (2006.01) G01R 19/32 (2006.01) H02H 7/18 (2006.01)
CPC G01R 19/32(2013.01) G01R 19/32(2013.01) G01R 19/32(2013.01) G01R 19/32(2013.01) G01R 19/32(2013.01)
출원번호/일자 1020140063313 (2014.05.26)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1549545-0000 (2015.08.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.26)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형순 대한민국 충청북도 청주시 상당구
2 백기주 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 김영석 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0496521-06
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0544047-25
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0015976-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0204418-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0500568-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0500599-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
10 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0568164-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
과충전 전압 검출기, 과방전 전압 검출기, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기를 포함하는 배터리 보호회로로서,상기 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기;온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로; 및상기 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 상기 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함하며,상기 온도보상회로는 충전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 감소된 전압을 보상하는 PTAT 전류 생성부를 포함하며,상기 PTAT 전류 생성부는,소스단자에 공급전원이 인가되는 제1P채널 MOSFET;소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제2P채널 MOSFET;소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되는 제3P채널 MOSFET;소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제3P채널 MOSFET의 게이트단자와 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 PTAT 전류를 출력하는 제4P채널 MOSFET;드레인단자 및 게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제1N채널 MOSFET;게이트단자에 상기 제1P채널 MOSFET의 드레인단자와 상기 제1N채널 MOSFET의 드레인단자 및 게이트단자가 접속되며, 드레인단자에 상기 제1P채널 MOSFET 내지 제4P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제2P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되는 제2N채널 MOSFET;일단에 상기 제2N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제1저항(R4); 및게이드단자 및 드레인단자에 상기 제3P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제3N채널 MOSFET를 포함하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로
2 2
과충전 전압 검출기, 과방전 전압 검출기, 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기를 포함하는 배터리 보호회로로서,상기 충전 과전류 검출기 및 방전 과전류 검출기에 접속되어 충전 상태와 방전 상태를 검출하는 충전 및 방전 검출기;온도에 비례하거나 반비례하여 일정하게 유지되는 전류(PTAT, CTAT)를 생성하는 온도보상회로; 및상기 충전 상태와 방전 상태에 대응하여 상기 온도보상회로로부터 출력되는 전류(PTAT, CTAT)를 선택하여 과전류 검출단으로 공급하는 선택기를 포함하며,상기 온도보상회로는 방전시 온도가 증가할수록 상기 과전류 검출단의 증가된 전압을 보상하는 CTAT 전류 생성부를 포함하며,상기 CTAT 전류 생성부는,소스단자에 공급전원이 인가되는 제5P채널 MOSFET;소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자 및 드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제6P채널 MOSFET;소스단자에 공급전원이 인가되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 게이트단자 및 드레인단자가 접속되며, 드레인단자로 CTAT 전류를 출력하는 제7P채널 MOSFET;드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자는 접지되는 제4N채널 MOSFET;드레인단자에 상기 제5P채널 MOSFET 내지 제7P채널 MOSFET의 게이트단자와 상기 제6P채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 게이트단자에 상기 제5P채널 MOSFET의 드레인단자 및 상기 제4N채널 MOSFET의 드레인단자가 접속되며, 소스단자에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자가 접속되는 제5N채널 MOSFET; 및일단에 상기 제4N채널 MOSFET의 게이트단자 및 상기 제5N채널 MOSFET의 소스단자가 접속되고, 타단은 접지되는 제2저항(R5)을 포함하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 선택기는, 충전시 온도에 비례하는 전류(PTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급하고, 방전시 온도에 반비례하는 전류(CTAT)를 상기 과전류 검출단으로 공급하는 과전류 온도 보상 기능을 구비한 배터리 보호회로
4 4
삭제
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 충북대학교 컴퓨터정보통신연구소 일반연구자지원사업 0.5V 아날로그 IP 및 바이오센서 IC 개발