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듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템

  • 기술번호 : KST2015185432
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노선구조물을 이용하여 양자점을 형성시키고 동시에 그 양자점을 각각 좌와 우에서 감싸는 듀얼게이트를 제작함으로써 듀얼게이트에 의해 터널링 장벽에 미치는 영향을 최소화하여 효과적으로 양자점의 전위를 제어할 수 있는 동시에 상온에서 동작하며, 듀얼게이트 각각에 전압을 가하거나 적어도 어느 하나를 감지하고자하는 대상에 연결함으로써 논리회로 및 센서 등에 적용될 수 있는 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템 및 그 시스템의 제작방법에 대한 것이다.이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템의 제작방법은, SOI웨이퍼에 소정의 두께의 제1유전층을 형성하는 제1단계; 리소그래피 및 식각을 이용하여 부분적으로 제1유전층 및 상층실리콘층의 일부를 제거하여 소정의 두께의 상층실리콘층을 드러내는 제2단계; 상기 제2단계에서 드러낸 상층실리콘층을 부분적으로 덮는 식각마스크를 형성하는 제3단계; 상기 제3단계 후 드러나 있는 상층실리콘층을 모두 식각하여 나노선구조물을 형성하는 제4단계; 열산화공정을 이용하여 상층실리콘층 표면에 열산화막을 형성하는 제5단계; 웨이퍼 표면에 폴리실리콘층 또는 금속 박막을 형성하는 제6단계; 상기 제6단계에서 형성한 폴리실리콘층 또는 금속 박막을 부분적으로 식각하여 식각마스크 상부에서 단절시키는 제7단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01)
출원번호/일자 1020110077151 (2011.08.02)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0015255 (2013.02.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 이종진 대한민국 충청북도 청주시 상당구
3 이조원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)
2 김진동 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** 다원빌딩 *층(푸른국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0598912-00
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163430-94
3 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0021973-60
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0837528-14
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0727186-24
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0727271-18
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0072092-16
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0347585-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0680073-73
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0680090-49
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0804913-32
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1158478-28
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1158444-87
15 등록결정서
Decision to grant
2018.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0033451-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) SOI웨이퍼에 소정의 두께의 제1유전층을 형성하는 단계;(b) 리소그래피 및 식각을 이용하여 부분적으로 제1유전층 및 상층실리콘층의 일부를 제거하여 소정의 두께의 상층실리콘층을 드러내는 단계;(c) 상기 (b)단계에서 드러낸 상층실리콘층을 부분적으로 덮는 식각마스크를 형성하는 단계;(d) 상기 (c)단계 후 드러나 있는 상층실리콘층을 모두 식각하여 나노선구조물을 형성하는 단계;(e) 열산화공정을 이용하여 상층실리콘층 표면에 열산화막을 형성하는 단계;(f) 제2유전층을 형성하는 단계;(g) 웨이퍼 표면에 폴리실리콘층 또는 금속 박막을 이용하여 전도층을 형성하는 단계; 및(h) 상기 (g)단계에서 형성한 전도층을 부분적으로 식각하여 식각마스크 상부에서 단절시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (h)단계는,전도층을 식각마스크 상부에서 단절시키기 위해서 리소그래피를 이용해 식각마스크 상부만 개방하고 식각하는 단계;식각마스크 측면에 형성된 전도층의 두께가 식각마스크 상부에 형성된 전도층의 두께보다 월등히 두꺼운 특성을 이용하여 별도의 마스크 없이 식각마스크 상부에 형성된 전도층의 두께만큼만 식각하는 단계; 및리소그래피에 사용되는 레지스트를 스핀코팅할 경우 식각마스크 상부에서만 레지스트가 얇게 코팅되는 특성을 이용하여 레지스트를 스핀코팅하고 식각마스크 상부에 형성된 전도층의 두께만큼만 식각하는 단계; 중 어느 하나의 단계를 이용하여 식각마스크 상부에서 전도층을 단절시키는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 (d)단계에서 형성되는 나노선구조물 부분을 제외한 나머지 상층실리콘층에 3족 또는 5족 불순물을 주입하는 이온주입공정을 상기 (a)단계 이전에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 (c)단계에서 형성하는 식각마스크는 전자빔리소그래피로 형성한 HSQ인 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 상온동작 단전자 소자 시스템의 제조방법
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