맞춤기술찾기

이전대상기술

상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015185447
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 음성 감광막의 나노선(nano-wire)구조물을 이용하여 양자점을 형성하고, 특히 양자점의 전위를 제어하는 게이트가 양자점의 크기로 양자점 위에 형성함으로써, 게이트에 의해 터널링 장벽 및 양자점의 전위에 미치는 영향을 최소화하여 상온에서도 동작할 수 있는 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 실현하기 위한 수단으로서 본 발명은, 제1실리콘층(10), 산화막층(20) 및 제2실리콘층(10)이 적층된 기판의 제2실리콘층(30) 상부에 나노선구조물(40)을 형성하는 제1단계; 나노선구조물(40)을 마스크로 제2실리콘층(30)을 불순물로 도핑하는 제2단계; 나노선구조물(40)이 덮히도록 제2실리콘층(30) 위로 제1산화막층(50)을 형성하는 제3단계; 제2실리콘층(30)과 제1산화막층(50)을 식각하여 양자점(QD)을 정의하는 제4단계; 양자점(QD)을 감싸도록 열산화공정으로 제2산화막층(60)을 형성하는 제5단계; 및 양자점(QD)의 상부에 게이트(G)를 형성하는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 나노선구조물, 양자점, HSQ, 단전자 트랜지스터, 상온동작
Int. CL H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01)
출원번호/일자 1020080014230 (2008.02.16)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0966009-0000 (2010.06.16)
공개번호/일자 10-2009-0088764 (2009.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20100624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.08)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 신 승 준 대한민국 강원 평창군
3 김상진 대한민국 충북 청원군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0116757-54
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0320851-23
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0331622-32
4 보정요구서
Request for Amendment
2008.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0062553-30
5 안내문(직권수리)
Notification(Ex officio Acceptance)
2008.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0063018-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0492998-69
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0493002-00
8 등록결정서
Decision to grant
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0233755-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1실리콘층(10), 산화막층(20) 및 제2실리콘층(10)이 적층된 기판의 상기 제2실리콘층(30) 상부에 나노선구조물(40)을 형성하는 제1단계; 상기 나노선구조물(40)을 마스크로하여 상기 제2실리콘층(30)을 불순물로 도핑하는 제2단계; 상기 나노선구조물(40)이 덮히도록 상기 제2실리콘층(30) 위로 제1산화막층(50)을 형성하는 제3단계; 상기 제2실리콘층(30)과 상기 제1산화막층(50)을 식각하여 양자점(QD)을 정의하는 제4단계; 상기 양자점(QD)을 감싸도록 열산화공정으로 제2산화막층(60)을 형성하는 제5단계; 및 상기 양자점(QD)의 상부에 게이트(G)를 형성하는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노선구조물(40)은 포토 리소그래피 혹은 전자빔 리소그래피 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 불순물은 P, As 또는 B인 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제1산화막층(50)은 증착공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 양자점(QD)은 건식식각 또는 FIB방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제4단계는 상기 제2실리콘층(30)과 상기 제1산화막층(50)과 함께 상기 나노선구조물(40)의 일부를 식각하여 상기 양자점(QD)을 정의하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 게이트(G)는 재질이 1×1012/㎠ 이상의 농도를 갖는 불순물을 포함하는 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중에서 어느 한가지 제조방법으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101946326 CN 중국 FAMILY
2 JP23512668 JP 일본 FAMILY
3 KR101017814 KR 대한민국 FAMILY
4 KR101536778 KR 대한민국 FAMILY
5 US08158538 US 미국 FAMILY
6 US20100327260 US 미국 FAMILY
7 US20100330751 US 미국 FAMILY
8 WO2009102165 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
9 WO2009102165 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101946326 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101946326 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2011512668 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2010327260 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2010330751 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8158538 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.