맞춤기술찾기

이전대상기술

상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템

  • 기술번호 : KST2015185462
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 나노선구조물을 이용하여 양자점을 형성시키고 동시에 그 양자점을 에워싸도록 상층게이트를 제작함으로써 상층게이트에 의해 터널링 장벽에 미치는 영향을 최소화하여 효과적으로 양자점의 에너지 준위를 제어할 수 있는 동시에 상온에서 동작하며, 양자점 측면에 게이트를 형성함으로써 센서 및 논리회로 등에 적용될 수 있는 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템 및 그 시스템의 제조방법에 대한 것이다.이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템의 제조방법은, SOI(Silicon-on-Insulator) 웨이퍼에 리소그래피 및 식각을 이용하여 소스, 채널, 드레인 및 1개 이상의 측면게이트로 구성된 상층실리콘층 구조물을 형성하는 제1단계; 채널 상부에 이온주입마스크를 형성한 후 3족 내지 5족 불순물을 주입하는 제2단계; 리소그래피를 이용하여 채널 상부 또는 채널 상부와 측면게이트 일부분을 제외한 웨이퍼 표면에 식각마스크를 형성하는 제3단계; 소정의 두께의 상층실리콘층이 남도록 식각한 후 식각마스크를 제거하는 제4단계; 웨이퍼 표면에 폴리실리콘층 또는 금속 박막을 형성한 후 부분적으로 식각하여 채널 상부를 덮는 상층게이트를 형성하는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01)
출원번호/일자 1020110074326 (2011.07.26)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0012890 (2013.02.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.26)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 이종진 대한민국 충청북도 청주시 상당구
3 이조원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)
2 김진동 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** 다원빌딩 *층(푸른국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0579021-44
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0583036-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0163310-13
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0837516-66
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0712301-49
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0726252-72
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0072093-51
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0347584-61
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0680255-86
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0680237-64
12 등록결정서
Decision to grant
2017.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0791404-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) SOI(Silicon-on-insulator) 웨이퍼에 리소그래피 및 식각을 이용하여 소스, 채널, 드레인 및 1개 이상의 측면게이트로 구성된 상층실리콘층 구조물을 형성하는 단계;(b) 채널 상부에 이온주입마스크를 형성한 후 3족 또는 5족 불술물을 주입하는 단계;(c) 리소그래피를 이용하여 채널 상부 또는 채널 상부와 측면게이트 일부분을 제외한 웨이퍼 표면에 식각마스크를 형성하고, 식각마스크가 형성되어 있지 않은 부분의 상층 실리콘층이 소정의 두께로 남도록 식각하는 단계;(d) 소정의 두께의 상층실리콘층이 남도록 식각한 후 식각마스크를 제거하는 단계;(e) 열산화공정을 통해 실리콘 산화막을 성장시키는 단계;(f) 웨이퍼 표면에 폴리실리콘층 또는 금속 박막을 형성한 후 리소그래피를 이용해 채널 상부와 소스 또는 드레인의 일부를 가리도록 마스크를 형성하고 식각하여 상층게이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (b)단계 및 (c)단계 사이에 제1유전막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템의 제조방법
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 (e)단계와 (f)단계 사이에 제2유전막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 다중게이트 단전자 소자 시스템의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.