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기판(Substrate);상기 기판 상에 증착하여 형성되는 하부 전극(Bottom electrode)층;상기 하부 전극층 상에 형성되는 활성층(Active layer);상기 활성층 상에 형성되는 유전체층(Dielectric layer); 및상기 유전체층 상에 형성되는 상부 전극(Top electrode)층을 포함하되,상기 활성층은 용액 공정을 이용하여 인듐(indium)과 아연(zinc)을 인듐-아연(indium-zinc) 산화물(oxide) 활성층으로 제작되며, 이때 인듐(In) 용액과 아연(Zn) 용액이 7:3의 비율로 혼합되는 용액 공정을 통해 인듐-아연 혼합물이 코팅되는 방식으로 구현되는 것을 특징으로 하는 스위칭 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 기판은 N형(N-type)으로 도핑된(doped) 규소(Si) 기판인 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리
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청구항 1에 있어서,상기 하부 전극층은 알루미늄(Al)으로 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 유전체층은 전구체인 TTIP(tetraisopropoxide)에 대하여 원자층 증착 공정(Atomic Layer Deposition, ALD)을 통해 이산화티타늄(TiO2)층으로 증착하는 방식으로 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극층은 알루미늄(Al)으로 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리
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기판(Substrate)을 형성하는 단계;상기 기판 상에 증착하여 형성되는 하부 전극(Bottom electrode)층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 형성되는 활성층(Active layer)을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 형성되는 유전체층(Dielectric layer)을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 형성되는 상부 전극(Top electrode)층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 활성층은 용액 공정을 이용하여 인듐(indium)과 아연(zinc)을 인듐-아연(indium-zinc) 산화물(oxide) 활성층으로 제작되며, 이때 인듐(In) 용액과 아연(Zn) 용액이 7:3의 비율로 혼합되는 용액 공정을 통해 인듐-아연 혼합물이 코팅되는 방식으로 제작되는 것을 특징으로 하는 스위칭 메모리 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 기판을 형성하는 단계에서, 상기 기판은 N형(N-type)으로 도핑된(doped) 규소(Si) 기판인 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 하부 전극층을 형성하는 단계에서, 상기 하부 전극층은 알루미늄(Al)으로 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 단계에서, 상기 유전체층은 전구체인 TTIP(tetraisopropoxide)에 대하여 원자층 증착 공정(Atomic Layer Deposition, ALD)을 통해 이산화티타늄(TiO2)층으로 증착하는 방식으로 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 상부 전극층을 형성하는 단계에서, 상기 상부 전극층은 알루미늄(Al)으로 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 스위칭 메모리 제조 방법
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