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상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015185500
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 음성 감광막과 양성 감광막 패턴의 폭을 통해 나노선 영역을 정의하고, 나노선 영역 위에 존재하는 음성 감광막과 나노선 영역 외의 따른 높이차에 의한 식각의 선택비율을 통해 나노선 영역의 좌우측에 양자점의 전위를 조절 가능한 두 개의 게이트를 형성하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이를 실현하기 위하여, (a)반도체층 사이에 있는 절연층을 갖는 기판의 반도체층을 식각하여 채널영역을 정의하는 단계; (b)채널영역 위에 산화막을 형성하는 단계; (c)산화막 위에 음성 감광막 패턴을 형성하는 단계; (d)음성 감광막 패턴 위에 수직으로 양성 감광막 패턴을 형성하는 단계; (e)양성 감광막 패턴에 의해 드러난 산화막층과 반도체층을 식각하여 나노선 영역을 형성하는 단계; (f)실리콘층의 양측면에 산화막을 형성하여 양자점을 형성하는 단계; (g)음성 감광막 패턴의 상부에 게이트를 형성하는 단계; (h)반도체층의 윗면 전체에 양성 감광막으로 회전 코팅하는 단계; (i)두께가 얇은 음성 감광막의 윗쪽부터 식각하여 음성 감광막 패턴을 중심으로 좌우로 2개의 게이트를 분리하는 단계; 그리고, (j)산화막을 증착한 후 금속으로 음성 감광막 영역을 모두 덮어 게이트를 형성하는 단계를 포함한다. 나노선 영역, 양자점, 높이차, 건식 식각, 게이트, 단전자 소자
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060098330 (2006.10.10)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0905869-0000 (2009.06.25)
공개번호/일자 10-2008-0032465 (2008.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 김상진 대한민국 충북 청원군
3 최성진 대한민국 충북 괴산군
4 이창근 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0730262-22
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0906991-15
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0906903-18
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0906861-99
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0309362-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2007-5095424-70
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0589948-04
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0601081-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0605971-10
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0617540-82
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054508-13
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0585292-49
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0814559-04
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0814558-58
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0115162-12
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0283427-10
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0283428-55
19 등록결정서
Decision to grant
2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0247275-79
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체층 사이에 있는 절연층을 가지는 기판을 이용하며, 상기 절연층 위에 있는 상기 반도체층을 식각하여 채널영역을 정의하는 단계; (b) 채널영역 위에 산화막을 형성하는 단계; (c) 산화막 위에 음성 감광막 패턴을 형성하는 단계; (d) 상기 음성 감광막 위로 양성 감광막을 코팅하고 상기 음성 감광막 패턴과 수직으로 양성 감광막 패턴을 형성하는 단계; (e) 양성 감광막 패턴에 의해 드러난 산화막층과 상기 반도체층을 식각하여 나노선 영역을 형성하는 단계; (f) 실리콘층의 양측면에 산화막을 형성하여 나노선 영역에 양자점을 함께 형성하는 단계; (g) 음성 감광막 패턴의 상부에 게이트를 형성하는 단계; (h) 반도체층의 윗면 전체에 회전 코팅 방식으로 양성 감광막을 코팅하는 단계; (i) 두께가 얇은 음성 감광막의 윗쪽부터 식각하여 상기 음성 감광막 패턴을 중심으로 좌우로 2개의 게이트를 분리하는 단계; 및 (j) 산화막을 증착한 다음 금속으로 상기 음성 감광막 패턴 영역을 모두 덮도록 게이트를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 채널영역은 포토리소그래피 방식으로 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화막 형성 단계(b)의 산화막은 열산화 공정 또는 증착 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 음성 감광막은 무기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 음성 감광막 패턴과 양성 감광막 패턴은 포토 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피로 형성하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 음성 감광막 패턴과 양성 감광막 패턴은 수~수십 nm의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 나노선 영역은 음성 감광막 패턴과 양성 감광막 패턴의 폭에 의해 그 크기가 정해지는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 양자점 형성 단계(f)의 산화막은 열산화 공정으로 이루어지며, 상기 나노선 영역의 음성 감광막 패턴을 제외한 양측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 형성 단계(g)는 음성 감광막 패턴 위로 폴리 실리콘을 증착한 다음 포토 리소그래피를 이용하여 게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 코팅 단계(h)는 게이트가 형성된 나노선 영역의 윗쪽이 상기 나노선이 형성되지 않은 영역보다 감광막의 두께가 얇게 코팅되는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 분리 단계(i)는 건식 식각으로 식각처리하는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 게이트 분리 단계(i)의 식각은 나노선 영역 및 음성 감광막 패턴 영역의 유무에 따른 높이차를 이용하여 선택적으로 식각이 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법
13 13
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