맞춤기술찾기

이전대상기술

상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015185504
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자빔 리소그래피법(e-beam lithography)과 열산화 공정(thermal oxidation)을 통하여 다수개의 트랜치를 형성함으로써 다중 양자점과 터널접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 소자의 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법에 따르면, 이중 게이트를 형성할 필요가 없어 이를 위한 별도의 금속막 증착과 패터닝 공정이 생략되어 제작비용이 감소되고, 공정이 단순화된다. 또한, 게이트 산화막을 형성함에 있어서 열산화 공정의 온도와 시간을 조절하여 양자점과 터널접합의 크기를 용이하게 변경하여 가할 수 있다. 단전자소자, 쿨롱블락케이드, PADOX, 실리콘
Int. CL H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/66439(2013.01) H01L 29/66439(2013.01)
출원번호/일자 1020060097217 (2006.10.02)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1009139-0000 (2011.01.11)
공개번호/일자 10-2008-0030819 (2008.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.22)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최중범 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 이창근 대한민국 서울 구로구
3 김상진 대한민국 충북 청원군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0722378-87
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0905903-40
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0903199-56
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0309216-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5063077-35
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.19 수리 (Accepted) 4-1-2007-5095424-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2007-5179320-78
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0320851-23
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0331622-32
10 보정요구서
Request for Amendment
2008.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0062553-30
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0734068-33
12 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0734097-57
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044650-68
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0387249-55
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0624385-58
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0624386-04
18 등록결정서
Decision to grant
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0546328-05
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판과 상기 반도체 기판상에 산화막이 적층된 구조의 SOI기판상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 식각하여 액티브 영역을 정의하는 단계; 상기 액티브 영역중 채널영역을 식각하여 채널층을 형성하는 단계; 상기 SOI기판 상에 실리콘산화막인 게이트 산화막을 성막하는 단계; 상기 게이트 산화막을 식각하여 상기 채널층과 직교하는 다수개의 트랜치를 형성하는 단계; 상기 SOI기판의 상면에 실리콘 산화막인 중간 산화막을 성막하는 단계; 상기 채널층 상에 폴리실리콘막을 성막하는 단계; 상기 폴리실리콘 막을 식각하여 상부게이트를 형성하는 단계; 상기 상부 게이트와 액티브 영역에 불순물 이온을 주입하는 단계; 상기 상부게이트와 상기 액티브 영역의 일부를 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀에 금속막을 증착하여 게이트패드, 소오스패드 및 드레인 패드를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 다수개의 트랜치에 의하여 다수개의 양자점과 터널접합이 형성되는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 채널층은 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 산화막 형성단계 또는 상기 중간 산화막 형성단계는, 열산화 공정에 의하는 것을 특징으로 하는 단전자 소자의 제작방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 게이트 산화막은 5~10nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 중간 산화막은 10~20nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 다수개의 트랜치 형성단계는 제2전자빔 레지스트를 형성하는 단계; 및 상기 제2전자빔 레지스트를 이용하여 상기 다수개의 트랜치를 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
7 7
제 6 항에 있어서, 제1전자빔 레지스트 패턴은 초음파 세척기에 의하여 형성되어 비등방성을 갖는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘막의 형성단계에서, 상기 폴리실리콘막은 저압화학기상증착법에 의하여 형성되고, 그리고, 상기 폴리실리콘막의 두께는 50~150nm인 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 금속막 형성단계에서, 상기 금속막은 200~300nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 상온동작 실리콘 단전자 소자의 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.