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반도체기판(14)의 절연층(10) 상에 형성된 반도체막(11)에 소스(12)와 드레인(13)을 식각하는 제1단계;
상기 소스(12) 및 드레인(13) 사이에 탄소나노튜브 브리지(20)를 성장시켜 액티브영역을 정의하는 제2단계;
상기 탄소나노튜브 브리지(20)에 다수의 양자점(21) 및 터널링 장벽(22)을 형성하는 제3단계;
상기 반도체기판(14)의 상면에 게이트산화막(30)을 형성하는 제4단계;
상기 게이트산화막(30)에 상기 탄소나노튜브 브리지(20)와 수직이 되도록 게이트를 형성하는 제5단계;
상기 게이트를 도핑시킴과 동시에 상기 소스(12)와 상기 드레인(13)에 불순물 이온을 주입하는 제6단계;
상기 소스(12) 및 상기 드레인(13)의 상면이 드러나도록 상기 게이트산화막(30)을 식각하여 제1 및 제2컨택홀(32a,32b)을 형성하는 제7단계;
상기 제1 및 제2컨택홀(32a,32b)이 매립되도록 금속막을 증착하여 포토리소그래피를 이용하여 소스패드 및 드레인패드를 형성하는 제8단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 소스(12) 및 상기 드레인(13)은 포토리소그래피, 전자빔 리소그래피, 또는 반응성 이온식각 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 소스(12) 및 상기 드레인(13)간의 간격은 30~100㎚인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 양자점(21) 및 터널링 장벽(22)은 상기 탄소나노튜브 브라지(20)와 직교하도록 1~10㎚의 간격으로 다수개의 세선을 전자빔 직접 묘화 방식으로 노광하여 형성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 게이트산화막(30)은 저압화학기상증착법을 이용하여 20~300㎚의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 게이트는 두께 20~50㎚로 형성된 상기 게이트산화막(30)에, 저압화학기상 증착방식에 의해 50~100㎚의 두께로 형성된 컨트롤 게이트(40)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 게이트는 두께 100~300㎚로 형성된 상기 게이트산화막(30)에, 탄소나노튜브 브리지(20)의 상부에 위치하도록 트랜치(31)를 형성하여 저압화학기상 증착방식에 의해 100~300㎚의 두께로 형성된 'T'형 게이트(41)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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9
제 1 항에 있어서,
상기 반도체기판(14)은 SOI기판 또는 Si기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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10
반도체기판(14)의 절연층(10) 상에 형성된 반도체막(11)에 소스(12)와 드레인(13)을 식각하는 제1단계;
상기 소스(12) 및 드레인(13) 사이에 탄소나노튜브 브리지(20)를 성장시켜 액티브영역을 정의하는 제2단계;
상기 탄소나노튜브 브리지(20)에 다수의 양자점(21) 및 터널링 장벽(22)을 형성하는 제3단계;
상기 반도체기판(14)의 상면에 게이트산화막(30)을 형성하는 제4단계;
상기 소스(12)와 상기 드레인(13)에 불순물 이온을 주입하는 제5단계;
상기 소스(12) 및 상기 드레인(13)의 상면이 드러나도록 상기 게이트산화막(30)을 식각하여 제1 및 제2컨택홀(32a,32b)을 형성하는 제6단계;
상기 제1 및 제2컨택홀(32a,32b)이 매립되도록 금속막을 증착하여 포토리소그래피를 이용하여 소스패드 및 드레인패드를 형성하는 제7단계;
상기 탄소나노튜브 브리지(20)의 하부에 위치하도록 반도체기판(14)의 저면에 바텀게이트(42)를 형성하는 제8단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 제조방법
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11
제 1 항 내지 제 10 항중 어느 한항의 제조방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자
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