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드레인 노드에 의해 전류소스가 공급되고 게이트노드와 소스노드를 구비한 제 1 모스펫 및 상기 제 1 모스펫의 소스노드에 연결되고 게이트에 게이트 입력전압이 공급되는 제 1단전자 트랜지스터를 구비한 SET ULG회로에 있어서,
상기 제 1모스펫의 게이트노드와 연결되는 제 2모스펫; 및
상기 제 2모스펫의 소스노드에 연결되고 입력게이트와 사이드게이트를 구비한 제 2단전자 트랜지스터;를 포함하여 상기 제 2모스펫 및 상기 제 2단전자 트랜지스터를 이용하여 제 1단전자 트랜지스터 드레인전압을 제어하고,
상기 제 1모스펫의 게이트노드와 상기 제 2모스펫의 게이트노드가 연결되어 제 1모스펫 게이트 전압과 제 2모스펫 게이트 전압이 동일한 작동점을 가지는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 1항에 있어서,
상기 제 1모스펫에 공급되는 전류소스와 상기 제 2모스펫에 공급되는 전류소스는 동일한 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 3항에 있어서,
상기 제 2모스펫의 드레인 노드와 제 2모스펫의 게이트노드를 연결하여 제 1모스펫의 게이트전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 4항에 있어서,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 사이드 게이트의 노드에 상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인노드가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 5항에 있어서,
상기 사이드게이트는 제 2단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽특성에 따른 사이드게이트 전압을 얻고,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트에는 상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트 전압이 인가되어 쉬프트 전압을 형성하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 6항에 있어서,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트 전압을 인가하여 제 2단전자 트랜지스터의 드레인전압이 상기 전류소스와 일치하는 점에서 안정화가 일어나게 되고,
상기 제 2단전자 트랜지스터 드레인 전압은 상기 쉬프트전압을 동작점으로 하여 상기 제 2단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽 특성이 상기 쉬프트 전압만큼 위상변화가 되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 7항에 있어서,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인전압의 동작점으로 잡힌 상기 쉬프트 전압은 상기 쿨롱장벽 특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값인 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 8항에 있어서,
상기 제 2모스펫 게이트전압은 소스전류를 흐르게 하기 위한 제 2모스펫의 문턱전압과 상기 쉬프트 전압의 합이 되고,
상기 제 1모스펫 게이트전압은,
상기 제 2모스펫 게이트전압과 동일하고, 그리고
소스전류를 흐르게 하기 위한 제 1모스펫 문턱전압과 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압의 합인 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터의 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 9항에 있어서,
상기 제 1모스펫과 상기 제 2모스펫에 동일한 상기 전류소스가 인가되므로 상기 제 1모스펫의 문턱전압과 상기 제 2모스펫의 문턱전압은 외부환경이 변화하더라도 동일한 값을 가지고,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트전압에 의해 상기 쉬프트전압이 조절되어 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 10항에 있어서,
제어되는 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압은 상기 제 1단전자 트랜지스터의 쿨롱장벽 특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값으로 유지되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 11항에 있어서,
상기 제 2모스펫 게이트 노드에 연결된 제 1모스펫과 제 1단전자 트랜지스터가 복수로 구비되고, 각각이 병렬로 연결되어,
상기 제 2단전자 트랜지스터 게이트전압의 인가에 의해 조절된 상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 쉬프트 전압에 의해 복수의 상기 제 1단전자 트랜지스터 드레인 전압들 각각이 제어되는 것을 특징으로 하는 단전자 트랜지스터 드레인 전압을 제어 가능한 SET ULG회로
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제 1항 및 제3항 내지 제 12항 중 어느 한 항의 SET ULG회로를 이용한 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법에 있어서,
제 2단전자 트랜지스터의 사이드게이트에 사이드게이트 전압을 결정하고 제 2단전자 트랜지스터의 게이트에 제 2단전자 트랜지스터 게이트 전압이 인가되는 단계;
상기 제 2단전자 트랜지스터 게이트 전압의 인가로 상기 제 2단전자 트랜지스터 쿨롱장벽특성이 쉬프트 전압만큼 위상변화가 일어나고, 상기 제 2단전자 트랜지스터의 드레인전압이 상기 쉬프트 전압을 동작점으로 하는 단계;
상기 쉬프트전압과 제 2모스펫에 소스전류를 흐르게 하기 위한 제 2모스펫 문턱전압의 합으로 제 2모스펫 게이트전압의 작동점이 결정되는 단계;
제 1모스펫 게이트 전압은 상기 제 1모스펫에 소스전류를 흐르게 하기 위한 제 1모스펫 문턱전압과 제 1단전자 트랜지스터 드레인 전압의 합으로 결정되고, 제 1모스펫의 게이트노드와 제 2모스펫 게이트노드가 공통으로 연결되어 제 1모스펫 게이트전압과 제 2모스펫 게이트전압이 동일한 작동점을 얻는 단계; 및
상기 제 2단전자 트랜지스터의 상기 쉬프트전압과 연관되어 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압이 제어되는 단계;를 포함하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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제 13항에 있어서,
상기 게이트전압 작동점 결정 단계에서,
상기 제 1모스펫에 공급되는 상기 전류소스와 제 2모스펫에 공급되는 전류소스는 동일한 것을 특징으로 하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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제 13항에 있어서,
상기 제 2모스펫은,
상기 제 2모스펫의 드레인노드와 상기 제 2모스펫의 게이트노드가 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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제 13항에 있어서,
상기 쉬프트 전압은 상기 제 2단전자 트랜지스터가 쿨롱장벽 특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값이고,
제어된 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압은 제 1단전자 트랜지스터가 쿨롱장벽특성을 갖기 위한 임계전압보다 작은 값이 되는 것을 특징으로 하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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제 13항에 있어서,
상기 제어 단계에서,
상기 제 1모스펫과 상기 제 2모스펫에 동일한 전류소스가 인가되므로 상기 제 1모스펫의 문턱전압과 상기 제 2모스펫의 문턱전압은 외부환경이 변화하더라도 동일한 변화값을 가지고,
상기 제 2단전자 트랜지스터의 게이트전압에 의해 상기 제 2단전자 트랜지스터 쉬프트전압이 조절되어 상기 제 1단전자 트랜지스터의 드레인전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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제 17항에 있어서,
상기 제 2모스펫 게이트 노드에 연결된 모스펫과 단전자 트랜지스터가 각각병렬로 복수가 연결되어,
상기 제 2단전자 트랜지스터 게이트전압의 인가에 의해 조절된 상기 제 2단전자 트랜지스터 쉬프트전압에 의해 복수의 상기 단전자 트랜지스터의 드레인전압 각각이 제어되는 것을 특징으로 하는 SET ULG회로에서 단전자 트랜지스터의 드레인전압의 제어방법
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