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입력 공통모드 어답터를 구비하는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 회로

  • 기술번호 : KST2015185644
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 입력 플로팅(floating) 게이트를 갖는 차동 입력단과, 폴디드 캐스코드(folded cascode) 증폭기를 포함하여 이루어지고, 공통모드 입력 전압을 조절하기 위한 입력 공통모드 어답터(common-mode adapter) 및 상기 입력 공통모드 어답터와 연결되어 레일-투-레일 공통모드 스윙(rail-to-rail common-mode swing)과 일정한 트랜스컨덕턴스(transconductance) 값을 갖는 OTA(Operational Transconductance Amplifier)를 포함한다. 본 발명에 의하면 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기가 일정한 트랜스컨덕턴스를 갖게 되어 동작 범위를 최대화할 수 있고 다른 회로와 결합에 용이하다는 효과가 있다.
Int. CL H03F 3/45 (2006.01)
CPC H03F 3/45(2013.01) H03F 3/45(2013.01) H03F 3/45(2013.01)
출원번호/일자 1020140029478 (2014.03.13)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1596568-0000 (2016.02.16)
공개번호/일자 10-2015-0107924 (2015.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영석 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 성민혁 대한민국 충청남도 당진군
3 백기주 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0242426-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0725178-24
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1252274-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1252245-12
7 등록결정서
Decision to grant
2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0072516-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다중 입력 플로팅(floating) 게이트를 갖는 차동 입력단과, 폴디드 캐스코드(folded cascode) 증폭기를 포함하여 이루어지고, 공통모드 입력 전압을 조절하기 위한 입력 공통모드 어답터(common-mode adapter); 및상기 입력 공통모드 어답터와 연결되어 레일-투-레일 공통모드 스윙(rail-to-rail common-mode swing)과 일정한 트랜스컨덕턴스(transconductance) 값을 갖는 OTA(Operational Transconductance Amplifier)를 포함하되, 상기 입력 공통모드 어답터는, 차동 입력단이고, 제1 입력 신호가 입력되는 게이트를 포함하는 제1 N 채널(channel) MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), 차동 입력단이고, 제2 입력 신호가 입력되는 게이트와, 상기 제1 N 채널 MOSFET의 드레인에 연결되는 드레인과, 상기 제1 N 채널 MOSFET의 소스에 연결되는 소스를 포함하는 제2 N 채널 MOSFET, 소스가 전원단에 연결되고, 게이트에 제1 전압이 입력되는 제1 P 채널 MOSFET, 소스가 상기 제1 P 채널 MOSFET의 드레인에 연결되고, 게이트에 제2 전압이 입력되고, 드레인이 제1 노드에 연결되는 제2 P 채널 MOSFET, 드레인이 상기 제2 N 채널 MOSFET의 소스에 연결되고, 게이트에 제4 전압이 입력되고, 소스가 접지단에 연결되는 제3 N 채널 MOSFET, 드레인이 상기 제1 노드에 연결되고, 게이트에 제3 전압이 입력되는 제4 N 채널 MOSFET 및 드레인이 상기 제4 N 채널 MOSFET에 연결되고, 게이트에 상기 제4 전압이 입력되고, 소스가 접지단에 연결되는 제5 N 채널 MOSFET을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 N 채널 MOSFET와, 상기 제2 N 채널 MOSFET의 게이트는 다중 입력 플로팅 게이트로 되어 있으며, 상기 제2 N 채널 MOSFET의 게이트가 상기 제1 노드에 연결되어 있는 것임을 특징으로 하는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 회로
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청구항 1에 있어서,상기 OTA는, 소스가 전원단에 연결되어 있는 제5 P채널 MOSFET;소스가 전원단에 연결되고, 게이트가 상기 제5 P채널 MOSFET의 게이트에 연결되어 있는 제6 P채널 MOSFET;소스가 전원단에 연결되어 있는 제7 P채널 MOSFET;소스가 전원단에 연결되고, 게이트가 상기 제7 P채널 MOSFET의 게이트에 연결되어 있는 제8 P채널 MOSFET;차동 입력단이고, 상기 제1 입력 신호가 입력되는 게이트와, 상기 제6 P채널 MOSFET의 드레인과 연결되는 드레인을 포함하는 제6 N 채널 MOSFET;차동 입력단이고, 상기 제2 입력 신호가 입력되는 게이트와, 상기 제7 P 채널 MOSFET의 드레인에 연결되는 드레인과, 상기 제6 N 채널 MOSFET의 소스에 연결되는 소스를 포함하는 제7 N 채널 MOSFET;드레인이 상기 제7 N 채널 MOSFET의 소스에 연결되고, 게이트에 상기 제4 전압이 입력되고, 소스가 접지단에 연결되는 제8 N 채널 MOSFET;드레인이 상기 제5 P 채널 MOSFET의 드레인에 연결되고, 소스가 접지단에 연결되는 제9 N 채널 MOSFET; 및드레인이 상기 제8 N 채널 MOSFET의 드레인에 연결되고, 소스가 접지단에 연결되고, 게이트가 상기 제9 N 채널 MOSFET에 연결되는 제10 N 채널 MOSFET을 포함하여 이루어지고, 상기 제8 N 채널 MOSFET의 드레인과 상기 제10 N 채널 MOSFET의 사이의 노드에 출력단자가 있는 것을 특징으로 하는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 회로
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제6 N 채널 MOSFET와, 상기 제7 N 채널 MOSFET의 게이트는 다중 입력 플로팅 게이트로 되어 있는 것임을 특징으로 하는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 회로
7 7
청구항 6에 있어서,상기 제6 N 채널 MOSFET의 게이트가 상기 제1 노드에 연결되어 있는 것임을 특징으로 하는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 충북대학교 컴퓨터정보통신연구소 일반연구자지원사업 0.5V 아날로그 IP 및 바이오 센서 IC 개발