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멤리스터 소자를 적용한 비휘발성 정적 랜덤 액세스 메모리 셀

  • 기술번호 : KST2015185672
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 멤리스터 소자를 이용하여 전원의 공급이 차단되더라도 SRAM 메모리 셀(cell)에 저장되어 있던 데이터들을 다시 복원할 수 있도록 하기 위한 비휘발성의 특성을 갖는 정적 랜덤 액세스 메모리 셀이 개시된다. 본 발명은 SRAM 메모리 셀에 있어서, 전원전압(Vdd)과 부하 소자 사이에 한 쌍의 멤리스터(memristor)소자를 추가하여 SRAM 메모리 셀에 공급되는 전원전압(Vdd)이 차단되면 SRAM 메모리 셀의 래치에 존재하는 데이터를 읽어들여 멤리스터 소자에 저장하고, 전원전압(Vdd)의 공급이 재개되면 한 쌍의 멤리스터 소자 내부의 저항차에 의하여 SRAM 메모리 셀의 래치에 저장되었던 값을 복원시키도록 동작하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G11C 11/4193 (2006.01) G11C 11/41 (2006.01) G11C 11/00 (2006.01)
CPC G11C 11/412(2013.01) G11C 11/412(2013.01) G11C 11/412(2013.01)
출원번호/일자 1020090078478 (2009.08.25)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0020973 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 2020110009630;
심사청구여부/일자 Y (2009.08.25)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유영갑 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 전수철 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤의상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0518735-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003939-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0096622-70
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0273282-55
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0368694-57
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562661-04
8 [변경출원]실용신안등록출원서
[Converted Application] Application for Utility Model Registration
2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0852013-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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SRAM 메모리 셀에 있어서, 전원전압(Vdd)과 부하 소자 사이에 한 쌍의 멤리스터(memristor)소자를 추가하여 SRAM 메모리 셀에 공급되는 상기 전원전압(Vdd)이 차단되면 SRAM 메모리 셀의 래치회로에 존재하는 데이터를 읽어들어 상기 멤리스터 소자에 저장하고, 상기 전원전압(Vdd)의 공급이 재개되면 상기 한 쌍의 멤리스터 소자 내부의 저항차에 의하여 상기 SRAM 메모리 셀의 래치회로에 저장되었던 값을 복원시키도록 동작하는 것을 특징으로 하는 멤리스터 소자를 적용한 비휘발성 정적 랜덤 액세스 메모리 셀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학재단 세계수준의 연구중심 대학 육성사업 지능형 다층구조 시스템-온-시스템 직접회로