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자성 가넷 단결정막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 자성 가넷 단결정막

  • 기술번호 : KST2015185702
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 비자성 가넷 단결정 기판위에 자성 가넷 단결정막을 액상 에피탁셜 성장 방법으로 제조 시, 과량의 갈륨이온이 막중에 혼입되게 하여, 산화가 용이한 패터닝된 박막을 상기 자성 가넷 단결정막 표면에 설치한 후 열처리하면 패터닝된 박막 아래 영역의 단결정막의 포화자화가 주위보다 감소되어 낮은 외부자계로 상기 영역의 자화를 스위칭 할 수 있는 단결정 자성 가넷막을 제공한다.자성 가넷 단결정막, 자기 광학소자, 공간 광변조기, 화소, 스위칭자계
Int. CL C30B 25/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020020078045 (2002.12.10)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0050263 (2004.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.10)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조재경 대한민국 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0408724-56
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0532139-03
3 출원인 변경 신고서
Applicant change Notification
2004.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0617895-60
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0124594-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5079647-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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단결정 비자성 가넷 기판위에, 중량비 1~3%의 Ga2O3와 중량비 5~10%의 Na2CO3를 포함하는 원료분말을 사용하여 액상에피탁셜 성장방법으로 제조하여, BiaYbRe3-(a+b)GacFe5-cO12 (Re : Gd등의 희토류원소 , 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.