요약 | 실리콘계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다. |
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Int. CL | C07F 7/10 (2006.01.01) C07F 7/08 (2006.01.01) C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) |
CPC | C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130001313 (2013.01.04) |
출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 경상대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2014-0092963 (2014.07.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2018.01.03) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 경상대학교산학협력단 | 대한민국 | 경상남도 진주시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 김미경 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
2 | 추창웅 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
3 | 황재영 | 대한민국 | 경남 진주시 진주대로 ***, |
4 | 김윤희 | 대한민국 | 경남 진주시 진주대로 * |
5 | 권순기 | 대한민국 | 경남 진주시 진주대로 ** |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 | |
2 | 경상대학교 산학협력단 | 경상남도 진주시 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0011848-99 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5097137-14 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5189075-76 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5189369-94 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5148295-43 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5208281-01 |
8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2018.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0009459-11 |
9 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2018.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
10 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2018.08.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0040135-60 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.03.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5055369-44 |
13 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0257266-93 |
14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.06.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0588731-40 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0588730-05 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5140738-61 |
17 | 등록결정서 Decision to grant |
2019.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0575123-43 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5029557-91 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5103872-83 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘계 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중, L1은 i) 페닐렌기(phenylene), 펜타레닐렌기(pentalenylene), 인데닐렌기(indenylene), 나프틸렌기(naphtylene), 아줄레닐렌기(azulenylene), 헵타레닐렌기(heptalenylene), 인다세닐렌기(indacenylene), 아세나프틸렌기(acenaphtylene), 플루오레닐렌기(fluorenylene), 스파이로-플루오레닐렌기, 페날레닐렌기(phenalenylene), 페난트레닐렌기(phenanthrenylene), 안트릴렌기(anthrylene), 플루오란테닐렌기(fluoranthenylene), 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 파이레닐렌기(pyrenylene), 크라이세닐렌기(chrysenylene), 나프타세닐렌기(naphthacenylene), 피세닐렌기(picenylene), 페릴레닐렌기(perylenylene), 펜타페닐렌기(pentaphenylene), 헥사세닐렌기(hexacenylene), 피롤일렌기(pyrrolylene), 이미다졸일렌기(imidazolylene), 피라졸일렌기(pyrazolylene), 피리디닐렌기(pyridinylene), 피라지닐렌기(pyrazinylene), 피리미디닐렌기(pyrimidinylene), 피리다지닐렌기(pyridazinylene), 이소인돌일렌기(isoindolylene), 인돌일렌기(indolylene), 인다졸일렌기(indazolylene), 푸리닐렌기(purinylene), 퀴놀리닐렌기(quinolinylene), 벤조퀴놀리닐렌기(benzoquinolinylene), 프탈라지닐렌기(phthalazinylene), 나프티리디닐렌기(naphthyridinylene), 퀴녹살리닐렌기(quinoxalinylene), 퀴나졸리닐렌기(quinazolinylene), 시놀리닐렌기(cinnolinylene), 카바졸일렌기(carbazolylene), 페난트리디닐렌기(phenanthridinylene), 아크리디닐렌기(acridinylene), 페난트롤리닐렌기(phenanthrolinylene), 페나지닐렌기(phenazinylene), 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 벤조이미다졸일렌기(benzoimidazolylene), 푸라닐렌기(furanylene), 벤조푸라닐렌기(benzofuranylene), 티오페닐렌기(thiophenylene), 벤조티오페닐렌기(benzothiophenylene), 티아졸일렌기(thiazolylene), 이소티아졸일렌기(isothiazolylene), 벤조티아졸일렌기(benzothiazolylene), 이소옥사졸일렌기(isoxazolylene), 옥사졸일렌기(oxazolylene), 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 옥사디아졸일렌기(oxadiazolylene), 트리아지닐렌기(triazinylene), 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 디벤조푸라닐렌기(dibenzofuranylene), 디벤조티오페닐렌기(dibenzothiophenylene), 및 벤조카바졸일렌기; 및 ii) 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기로 치환된 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵타레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트릴렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 피롤일렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 이소인돌일렌기, 인돌일렌기, 인다졸일렌기, 푸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 카바졸일렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조옥사졸일렌기, 벤조이미다졸일렌기, 푸라닐렌기, 벤조푸라닐렌기, 티오페닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 벤조티아졸일렌기, 이소옥사졸일렌기, 옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 트리아지닐렌기, 벤조옥사졸일렌기, 디벤조푸라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 및 벤조카바졸일렌기; 중에서 선택되고, a는 1 내지 2의 정수이되, a가 2일 경우 a개의 L1은 서로 동일하거나 상이하고; R1 및 R2는 서로 독립적으로, 탄소수 1 내지 60의 퍼플루오로로알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 및 옥틸기 중에서 선택되고; b 및 c는 서로 독립적으로, 0 내지 4의 정수 중에서 선택되되, b+c≥1이고; R3 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 중에서 선택되고; R10은 C1-C10알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C10알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 중에서 선택되고; n은 2 내지 4의 정수 중에서 선택된다 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서,L1이 하기 화학식 2-1 내지 2-8 중에서 선택된, 실리콘계 화합물:Z1 내지 Z4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기; 중에서 선택되고; d1은 1 내지 4의 정수이고;d2는 1 내지 3의 정수이고;d3는 1 내지 6의 정수이고;d4는 1 내지 8의 정수이고;*는 화학식 1의 Si와의 결합 사이트 또는 이웃한 L1과의 결합 사이트이고;*'는 화학식 1 중 카바졸의 "N"과의 결합 사이트 또는 이웃한 L1과의 결합 사이트이다 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제1항에 있어서,R1 및 R2가 서로 독립적으로, -CF3, -C2F5, -C3F7, -C4F9, -C5F11 및 -C6F13 중에서 선택된 실리콘계 화합물 |
7 |
7 제1항에 있어서,b 및 c가 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이되, b+c≥1인, 실리콘계 화합물 |
8 |
8 삭제 |
9 |
9 제1항에 있어서,R3 및 R4이 수소인, 실리콘계 화합물 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 제1항에 있어서,n이 2인, 실리콘계 화합물 |
12 |
12 제1항에 있어서,하기 화학식 1A 내지 1F 중 하나로 표시되는 실리콘계 화합물:003c#화학식 1A003e# 003c#화학식 1B003e# 003c#화학식 1C003e#003c#화학식 1D003e#003c#화학식 1E003e#003c#화학식 1F003e#상기 화학식 1A 내지 1F 중 R1 및 R2가 서로 독립적으로, 적어도 하나의 -F로 치환된 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 및 옥틸기 중에서 선택되고; R10이 C1-C10알킬기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C10알킬기; 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 중에서 선택되고; n은 2 내지 4 중에서 선택된 정수이다 |
13 |
13 제12항에 있어서,R1 및 R2가 서로 독립적으로, -CF3, -C2F5, -C3F7, -C4F9, -C5F11 및 -C6F13 중에서 선택되고, n은 2 인, 실리콘계 화합물 |
14 |
14 제1항에 있어서,5 |
15 |
15 제1항에 있어서,하기 화합물 1 내지 10 중 하나인, 실리콘계 화합물: |
16 |
16 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 제1항, 제3항, 제6항, 제7항, 제9항 및 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항의 실리콘계 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자 |
17 |
17 제16항에 있어서,상기 유기층이, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나의 층을 더 포함하고, ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 더 포함한, 유기 발광 소자 |
18 |
18 제17항에 있어서,상기 발광층에 상기 실리콘계 화합물이 포함되어 있는, 유기 발광 소자 |
19 |
19 제18항에 있어서,상기 발광층이 인광 방출 메커니즘에 의하여 청색광을 방출하는 청색 인광 도펀트를 더 포함하고, 상기 발광층 중 실리콘계 화합물이 호스트의 역할을 하는, 유기 발광 소자 |
20 |
20 제17항에 있어서,상기 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층 중 적어도 하나는 전하-생성 물질을 포함한, 유기 발광 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09525145 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20140191207 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2014191207 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9525145 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0011848-99 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.07.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5097137-14 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5189075-76 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.12.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5189369-94 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5148295-43 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5208281-01 |
8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2018.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0009459-11 |
9 | 선행기술조사의뢰서 | 2018.05.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
10 | 선행기술조사보고서 | 2018.08.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0040135-60 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.03.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5055369-44 |
13 | 의견제출통지서 | 2019.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0257266-93 |
14 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.06.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0588731-40 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0588730-05 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5140738-61 |
17 | 등록결정서 | 2019.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0575123-43 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5029557-91 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5103872-83 |
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