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금속 배선 형성용 개구에 박막의 금속물질을 충전하는 방법에 있어서, 기판(10)의 상부에 절연층(20)을 형성하는 단계; 상기 절연층(20)의 일부를 제거하여 상기 기판의 상부 일부를 노출시킴으로써 개구(30)를 형성하는 단계; 상기 개구(30) 내부와 상기 절연층(20) 표면간의 확산 차이를 이용하여, 상기 개구(30)를 제외한 상기 절연층(20)의 상부에 흡착 억제층(50)을 형성하는 단계; 상기 흡착 억제층(50)을 증착 방지막으로 하는 증착 공정을 통해 상기 개구 내부에 금속물질을 충전함으로써 금속층(40)을 형성하는 단계; 및 상기 절연층(20)의 상부에 형성된 상기 흡착 억제층(50)을 제거하는 단계를 포함하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 흡착 억제층(50)이 TDMAT(Ti[N(CH3)2]4)를 포함하는 여러 가지 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 흡착 억제층(50)이 Knudsen 확산 속도를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(10)이 흡착 억제제에 노출되는 시간과 상기 금속층(40)의 형성 시간을 포함한 여러 가지 공정 조건을 변화시킴으로써 여러 가지 종류의 박막을 선택적으로 형성시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(10)이 질화 티타늄(TiN)을 포함하여 여러 가지 금속 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 절연층(20)이 산화 실리콘(SiO2)을 포함하여 여러 가지 절연 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 절연층(20)을 포함하는 상기 기판(10)이 흡착 억제제에 10∼15초 동안 노출되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층(40)이 DMEAA(AlH3N[C2H5(CH3)2])를 사용하여 알루미늄(Al)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층(40)이 구리, 은, 백금 등의 전기 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판(10)을 흡착 억제제에 10∼15초 동안 노출시킨 후, 상기 금속층(40)을 130∼140℃에서 5∼7분 동안 형성하는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판(10)을 흡착 억제제에 10∼15초 동안 노출시킨 후, 상기 금속층(40)을 175∼190℃에서 10∼15분 동안 형성하는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 기판(10)과 절연층(20)의 상부에 확산 방지막을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증착에 의한 개구 충전 방법
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