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폴리이미드및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015186473
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 벤지딘 유도체, 이를 이용하여 제조된 폴리이미드 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 벤지딘 유도체는 화학식 1로 표시된다.상기식중, R1은 할로겐 원자, 할라이드, C1∼C30 알킬기 및 C1∼C30 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화학식 1의 벤지딘 유도체는 새로운 화합물로서 그 응용범위가 매우 넓다. 특히 이 화합물은 기계적 특성 및 열적 안정성이 우수한 폴리이미드 제조시 디아민 화합물로서 매우 유용하게 이용할 수 있다. 또한 상기 화학식 1의 벤지딘 유도체는 벤지딘 전이반응을 통하여 통상적인 벤지딘 유도체 합성 방법에 비하여 개선된 수율로 용이하게 제조할 수 있다. 상기 화학식 1의 벤지딘 유도체를 이용하여 제조된 폴리이미드는 기계적 특성과 열적 안정성이 우수하여 반도체 소자의 보호막 형성용 물질로서 이용가능하다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01) C07C 215/80 (2006.01)
CPC C07C 211/43(2013.01) C07C 211/43(2013.01) C07C 211/43(2013.01) C07C 211/43(2013.01)
출원번호/일자 1019980014242 (1998.04.21)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0080773 (1999.11.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.04.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 표승문 대한민국 경상남도 함안군
3 김상일 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이상용 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)
3 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1998.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0045221-92
2 출원심사청구서
Request for Examination
1998.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0045223-83
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0045222-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005580-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0094263-55
8 의견서
Written Opinion
2000.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5192267-06
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.06.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5192273-70
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0231879-95
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
2001.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0011151-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

화학식 1로 표시되는 벤지딘 유도체:

<화학식 1>

2

제1항에 있어서, 상기 R1이 F, Cl, Br, CH3, CF3, C2H5, CH2(CH2)nCH3, OCH3, OC2H5 및 OCH2(CH2)nCH3로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 벤지딘 유도체(단, n은 1 내지 20의 정수임)

3 3

방향족 니트로 화합물 (a)를 아연(Zn)/수산화나트륨(NaOH)과 반응시켜 히드라조 벤젠 화합물(hydrazobenzene) (b)를 제조하는 단계;

상기 히드라조 벤젠 화합물 (b)를 유기용매에 용해한 다음, 여기에 염산 용액을 적가하여 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학식 1로 표시되는 벤지딘 유도체의 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 R1이 F, Cl, Br, CH3, CF3, C2H5, CH2(CH2)nCH3, OCH3, OC2H5 및 OCH2(CH2)nCH3로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법(단, n은 1 내지 20의 정수임)

5 5

제3항에서, 상기 염산을 적가하는 과정과, 염산을 적가한 후 반응시키는 과정이 0 내지 5℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

화학식 2로 표시되는 폴리이미드:

<화학식 2>

7

제6항에 있어서, 상기 R1이 F, Cl, Br, CH3, C2H5, CH2(CH2)nCH3, OCH3, OC2H5 및 OCH2(CH2)nCH3로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드(단, n은 1 내지 20의 정수임)

8 8

화학식 1의 벤지딘 유도체와 산무수물 (c)를 반응시켜 폴리이미드 전구체 (d)를 제조하는 단계; 및

상기 폴리이미드 전구체 (d)를 이미드화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 제조방법

9 9

제8항에 있어서, 상기 R1이 F, Cl, Br, CH3, CF3, C2H5, CH2(CH2)nCH3, OCH3, OC2H5 및 OCH2(CH2)nCH3로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법(단, n은 1 내지 20의 정수임)

10 10

화학식 1의 벤지딘 유도체와 디알킬 에스테르 디아실 할라이드 (e)를 반응시켜 폴리이미드 전구체 (f)를 제조하는 단계; 및

상기 폴리이미드 전구체 (f)를 이미드화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 제조방법

11 11

제10항에 있어서, 상기 R1이 F, Cl, Br, CH3, CF3, C2H5, CH2(CH2)nCH3, OCH3, OC2H5 및 OCH2(CH2)nCH3로 이루어진 군으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법(단, n은 1 내지 20의 정수임)

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.