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저 접촉저항을 갖는 부정규형의 고전자 이동 트랜지스터 소자용옴 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186481
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs/AlxGa1-xAs/InGaAs(x=0.1∼0.5)로 구성된 PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) 반도체 소자용 옴(ohm) 전극의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산(off-diffusion)을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항(contact resistance)을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 포함하도록 제조함으로써 접촉저항이 낮으면서도 열 안정성이 향상되어 종래의 Ge/Pd/PHEMT에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 가진 옴 전극을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019970067683 (1997.12.11)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0258311-0000 (2000.03.09)
공개번호/일자 10-1999-0048875 (1999.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.11)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김이태 대한민국 충청남도 논산시 성
2 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0212298-24
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0212299-70
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0212300-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005580-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382173-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

GaAs/AlxGa1-xAs/InGaAs(이때, x는 0

2 2

제 1 항에 있어서,

Au 층이 100 내지 2000Å, Ti 층이 100 내지 2000Å, Ge 층이 200 내지 2000Å 및 Pd 층이 200내지 2000Å 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 PHEMT 기판이 InGaAs 층 위에 캡층을 포함하며, 금속층을 증착시키기 전에 InGaAs 층 가까이까지 캡층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.