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헬리컬 공진기형 식각기에서 헬릭스코일을 전원전압에 대해 (2n+1)/4 (n은 양정수) 파장 길이로 함으로써 반응로 기판 상에서외 플라즈마 균일도를 조절하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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제1항에 있어서, 헬리컬 공진기내의 헬릭스 코일상에서의 전력 인가 탭 위치를 변화시켜 공진기 내부의 축/반경 방향의 플라즈마 밀도 분포를 변화시킴으로써 반응로 기판 상에서의 플라즈마 균일도 조절 방법
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제2항에 있어서, 전력 인가 탭 위치를 변화시켜서 헬릭스코일의 개방단과 접지단의 길이를 변화 시킴으로써 각 단에서의 입사파와 반사파, 그리고 다른 단에서 넘어오는 투과파(transmitted wave)의 중첩 효과에 의해 공진기 내에 고유의 전자장 분포를 형성시켜 축/반경 방향으로 고유의 플라즈마 밀도 분포를 가지도록 하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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제2항에 있어서, 상기 헬릭스코일상의 전력 인가 탭 위치를 변화시켜 공진기 내의 고밀도 플라즈마 영역의 위치를 축 방향으로 이동시킴으로써 고밀도 플라즈마 영역에서 반응로까지의 확산 거리를 변화시켜 반응로 기판 상에서의 플라즈마 균일도 조절 방법
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제4항에 있어서, 공진기 내 고밀도 플라즈마 영역에서 반응로까지의 거리를 변화시켜 반응로까지의 플라즈마 전송시 반경 방향으로의 확산에 의해 기관상에 도달하는 플라즈마 균일도를 조절하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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제5항에 있어서, 상기 헬리컬 공진기에서 발생하는 플라즈마는 벽면 부근에서 주로 발생하게 되어서 가장 자리에서 최대 밀도를 갖는 분포를 보이게 되는데, 이것이 반응로까지 확산되어 가면서 역시 반경 방향으로도 확산되어 가장 자리의 밀도는 감소되고 중앙의 밀도가 증가하는 것을 이용하여 플라즈마 균일도를 조절하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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제2항에 있어서, 전력 인가 탭 위치를 변화시켜서 공진기와 반응로 경계부근에서 축 방향으로 유도되는 자기장의 세기를 변화시킴으로써 플라즈마 입자들의 반경 방향 확산을 억제시켜 반응로로 유입되는 플라즈마의 균일도를 조절하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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제6항에 있어서, 하전 입자가 자기장에 수직한 방향으로 확산이 잘 되지 않는 것을 이용하여 공진기 내에서 유도되는 축 방향 자기장의 세기를 변화시켜 반응로로 유입되는 플라즈마의 균일도를 조절하는 플라즈마 균일도 조절 방법
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