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기판 상에 n형 반도체와 p형 반도체의 접합으로 이루어지며, 상기 n형 반도체와 p형 반도체 사이의 경계와 그 부근영역에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하는 단계; 및상기 n형 반도체 및 p형 반도체 각각의 외측단으로부터 상기 경계의 부근영역으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하고 상기 활성층에서 나노 스케일의 최소 직경의 수직 측벽을 갖도록 이온빔 식각법을 통해 이온빔을 조사하여 상기 에피택시 층을 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 이온빔 식각 단계를 포함하고,상기 이온빔 식각단계는,상기 에피택시 층을 상기 이온빔의 입사방향에 대하여 기 설정된 각도로 기울인 상태에서 회전시키면서, 마스크를 통해 상기 이온빔을 상기 에피택시 층에 조사하여 식각하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 기판은 GaAs, GaN, ZnSe, SiC, InP 로 이루어지는 군에서 선택되는 물질을 기반으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 이온빔 식각 단계에서,상기 마스크를 통과한 상기 이온빔에 의해서 안쪽으로 테이퍼진 영역을 형성하고, 상기 마스크의 그림자 아래에서는 바깥쪽으로 테이퍼진 영역을 형성하여 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 이온빔 식각단계에서, 상기 기 설정된 각도는 상기 기판에 대해 수직한 방향과 상기 이온빔의 입사방향 사이의 각도로서 0°내지 90°의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 이온빔 식각단계에는 부식성 가스인 BCl3 또는 Cl2가 사용되는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 이온빔 식각단계에는 불활성 가스 이온빔이 사용되는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 이온빔 식각단계 후 식각 과정에서 발생되는 샘플 표면의 손상을 방지하기 위해 습식 식각을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 이온빔 식각단계 후 표면의 자연 산화막의 생성을 방지하기 위해 유화 암모늄으로 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 이온빔 식각단계 후 표면의 자연 산화막의 생성을 방지하기 위해 N2, H2, NH3를 이루는 군에서 하나 이상 선택되는 가스로 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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기판 상에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하는 단계; 및상기 에피택시층의 외측단으로부터 상기 활성층의 부근영역으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하고 상기 활성층에서 나노 스케일의 최소 직경의 수직 측벽을 갖도록 이온빔 식각법을 통해 이온빔을 조사하여 상기 에피택시 층을 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 이온빔 식각단계를 포함하고,상기 에피택시층 형성단계는,n+로 도핑된 기판 상에 n형 분산 브래그 반사기를 형성하는 단계;상기 n형 분산 브래그 반사기 위로 n형 장벽층을 형성하는 단계;상기 n형 장벽층 위로 양자우물로 구성되는 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위로 p형 장벽층을 형성하는 단계;상기 p형 장벽층 위로 p형 분산 브래그 반사기를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 이온빔 식각단계는,상기 에피택시 층을 상기 이온빔의 입사방향에 대하여 기 설정된 각도로 기울인 상태에서 회전시키면서, 마스크를 통해 상기 이온빔을 상기 에피택시 층에 조사하여 식각하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 이온빔 식각 단계에서,상기 마스크를 통과한 상기 이온빔에 의해서 안쪽으로 테이퍼진 영역을 형성하고, 상기 마스크의 그림자 아래에서는 바깥쪽으로 테이퍼진 영역을 형성하여 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 19 항에 있어서,상기 이온빔 식각단계에서,상기 기 설정된 각도는 상기 기판에 대해 수직한 방향과 상기 이온빔의 입사방향 사이의 각도로서 0°내지 90°의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 19 항에 있어서, 상기 p형 분산 브래그 반사기의 외측면에 폴리이미드를 코팅하여 평탄화하는 단계; 및 상기 폴리이미드를 식각하고 Cr/Au를 증착하여 전극을 형성하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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제 19 항에 있어서, 상기 p형 분산 브래그 반사기의 외측면에 폴리이미드를 코팅하여 평탄화하는 단계; 및 상기 폴리이미드를 식각하고 Cr/Au를 증착하여 전극을 형성하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법
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