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임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

  • 기술번호 : KST2015186507
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속으로 동작하는 전류모드 임피던스가 정합된 양방향 버퍼회로를 개시한다.본 발명에 따른 동일한 입출력버퍼를 내장한 외부 칩과 신호를 양방향으로 전송하는 전류모드 입출력 버퍼는, 상기 외부 칩으로 전송하고자하는 송신신호(IN1)과 상기 외부 칩으로부터 수신되는 송신신호(IN2)의 평균 전류값(I1)을 평균전압으로 변환하여 출력하는 송수신평균전압 출력부(210); 상기 송신신호(IN1)의 전압레벨에 따라 선택적으로 생성된 소정의 기준전류값(Iref)을 기준전압으로 변환하는 기준전압출력부(220); 상기 송수신평균전압 출력부와 상기 기준전압출력부에서 생성한 전압을 비교하여 상기 외부 칩으로부터 전송된 수신신호에 상응된 로직신호를 출력하는 비교기(230); 및 상기 외부 칩에 접속된 전송선의 특성임피던스와 같도록 바이어스전압을 생성하여 상기 각 출력부에 공급하는 바이어스전압 생성부를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼는 하나의 전송선로를 이용하여 칩과 칩간에 고속으로 데이터 전송을 수행하며, 칩의 공정변화에도 안정적인 특성을 갖는 양방향 입출력 버퍼를 제공한다.
Int. CL H03K 19/0175 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990013140 (1999.04.14)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0295427-0000 (2001.04.28)
공개번호/일자 10-2000-0066203 (2000.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박홍준 대한민국 경상북도포항시남구
2 심재윤 대한민국 광주광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이상용 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)
3 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application
1999.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1999-0034061-60
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-0046034-63
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
5 등록사정서
Decision to grant
2001.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0081574-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

동일한 입출력버퍼를 내장한 외부 칩과 신호를 양방향으로 전송하는 전류모드 입출력 버퍼에 있어서,

상기 외부 칩으로 전송하고자하는 송신신호(IN1)와 상기 외부 칩으로부터 수신되는 송신신호(IN2)의 평균 전류값(I1)을 평균전압으로 변환하여 출력하는 송수신평균전압 출력부(210);

상기 송신신호(IN1)의 전압레벨에 따라 선택적으로 생성된 소정의 기준전류값(Iref)을 기준전압으로 변환하는 기준전압출력부(220);

상기 송수신평균전압 출력부와 상기 기준전압출력부에서 생성한 전압을 비교하여 상기 외부 칩으로부터 전송된 수신신호에 상응된 로직신호를 출력하는 비교기(230); 및

상기 외부 칩에 접속된 전송선의 특성 임피던스와 같도록 바이어스전압을 생성하여 상기 각 출력부에 공급하는 바이어스전압생성부를 포함함을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력버퍼

2 2

제1항에 있어서, 상기 비교기의 출력을 CMOS레벨로 변환하는 CMOS레벨변환부를 더 구비함을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

3 3

제1항에 있어서, 상기 바이어스생성부는,

VDD전압과 제2OP앰프(A2)의 부입력단자간에는 PMOS 트랜지스터(M21, M23)가 직렬로 접속되며, VDD전압과 제2OP앰프(A2)의 정입력단자간에는 PMOS 트랜지스터(M22, M24)가 직렬로 접속되고, 제1OP앰프(A1)의 출력은 PMOS 트랜지스터(M21, M22)의 게이트와 공통으로 접속되며, 제1OP앰프(A1)의 정입력단자는 제2OP앰프(A2)의 부입력단자와 외부저항(Rext)의 일단과 접속되고, 외부저항(Rext)의 타단은 그라운드(VSS)와 접속되며, 제2OP앰프(A2)의 출력단자는 NMOS 트랜지스터(M20)의 게이트에 접속되고, NMOS 트랜지스터(M20)의 드레인과 소스는 제2OP앰프(A1)의 정입력단자와 그라운드(VSS)에 각각 접속됨을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

4 4

제3항에 있어서, 상기 송수신평균전압 출력부는,

VDD전원과 다이오드(D1)의 애노우드와 NMOS 트랜지스터(M5)의 드레인간에 제1정전류원(212)이 접속되며, 상기 다이오드(D1)의 캐소우드는 상기 외부 칩과의 전송선과 NMOS 트랜지스터(M1)의 드레인과 상기 비교기(230)의 정입력단자에 접속되며, 상기 NMOS 트랜지스터(M1)의 게이트는 상기 NMOS 트랜지스터(M20)의 게이트에 접속됨을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

5 5

제4항에 있어서, 상기 제1정전류원(212)은,

상기 PMOS 트랜지스터(M22, M24)의 각 게이트전압을 바이어스 전압(VR)으로 하여 동작함을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

6 6

제5항에 있어서, 상기 기준전압 출력부는,

VDD전원과 다이오드(D2)의 애노우드간에 제2정전류원(224)과 송신신호(IN1)의 레벨에 따라 스위칭하는 스위칭부(222)가 직렬로 접속되며, VDD전원과 다이오드(D2)의 애노우드간에 제3정전류원(226)이 접속되고, 애노우드(D2)의 캐소우드는 NMOS 트랜지스터(M3)의 드레인과 상기 비교기(230)의 부입력단자에 각각 접속되며, 상기 NMOS 트랜지스터( M3)의 소스는 그라운드에 접속됨을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

7 7

제6항에 있어서, 상기 제2, 3정전류원(224, 226)은,

상기 PMOS 트랜지스터(M22, M24)의 각 게이트전압을 바이어스 전압으로 하여 동작함을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

8 8

제7항에 있어서, 상기 스위칭부(222)는,

VDD전압과 NMOS 트랜지스터(M4n, M5n)의 드레인간에 PMOS 트랜지스터(M3p, M4p)가 직렬로 접속되며, 상기 제2정전류원(224)의 출력단과 그라운드(VSS)간에 직렬로 PMOS 트랜지스터(M6p)와 NMOS 트랜지스터(M6n)가 접속되고, NMOS 트랜지스터(M6n)의 게이트는 NMOS 트랜지스터(M5n)의 게이트와 드레인과 공통접속되며, PMOS 트랜지스터(M6p)의 드레인은 상기 다이오드(D2)의 애노우드와 접속되며, PMOS 트랜지스터(M3p, M4p)의 게이트는 각각 PMOS 트랜지스터(M22, M24)의 게이트와 접속되고, PMOS 트랜지스터(M3p, M4p)의 소스는 그라운드와 접속됨을 특징으로 하는 임피던스가 정합된 전류모드 양방향 입출력 버퍼

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