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스퍼터링에의해기판상에박막을형성하는방법

  • 기술번호 : KST2015186512
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산소 음이온이 기판상의 박막내로 입사되는 것을 최소화시키고, 박막의 에피택시 정도를 증가 시킬 수 있는, 스퍼터링에 의해 기판상에 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법은 진공조내에 놓여진 기판의 상부에 그리드를 설치하고, 상기 그리드에 (+) 바이어스를 가하면서, 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 이용하여 기판상에 스퍼터링 증착을 수행한다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01J 37/3447(2013.01) H01J 37/3447(2013.01) H01J 37/3447(2013.01)
출원번호/일자 1019980047754 (1998.11.05)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0398699-0000 (2003.09.04)
공개번호/일자 10-2000-0031627 (2000.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.11.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 제정호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 도석주 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박세걸 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호 주 마크프로 (문래동*가, 에이스하이테크시티)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1998-0391765-88
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0369842-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.11.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0369843-80
4 보정요구서
Request for Amendment		 1998.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1998-9004975-29
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1998.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-9008795-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0233436-29
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2000-5354404-10
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5393768-72
11 의견서
Written Opinion		 2000.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2000-5393767-26
12 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0163342-06
13 등록결정서
Decision to grant		 2003.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0228418-04
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

플라즈마를 발생시킬 수 있고 내부에서 산화물 타깃을 구비하는 진공조내에 기판을 배치하는 단계와;

상기 기판의 상부에 그리드를 설치하여, 상기 기판이 상기 그리드에 의해 상기 타깃으로부터 가리워지도록 하는 단계와;

상기 그리드에 (+)바이어스를 가하면서, 상기 진공조내에서 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 발생시켜서 상기 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 기판상에 박막을 형성하는 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 산화물 타깃은 ZnO, 바륨-페라이드 산화물, Y1Ba2Cu3Ox, Bi2Sr2Ca2Cu3Ox, MgO, TiO2, RuO2, SiO2, Bi2O3, Zr-Ce 산화물, CeO2, WO3, CdO, ITO, NiO, FeO, Fe2O3, Al2O3, ZrO2, SnO2, VO2, V2O5, TaxOy 로 이루어진 그룹에서 선택된 산화물로 구성됨을 특징으로 하는 기판상에 박막을 형성하는 방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 산화물 타깃은 ZnO이며, 기판은 증착동안 200℃ 내지 450℃의 온도로 유지되고, 상기 그리드에 가해지는 바이어스는 20V 내지 150V인 것을 특징으로 하는 기판상에 박막을 형성하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 진공조내에서 상기 산화물 타깃과 동일한 축상에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판상에 박막을 형성하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.