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단일 전압형 ＰＨＥＭＴ

  • 기술번호 : KST2015186532
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 휴대용 단말기에 구비되는 전력 증폭용 소자에 관한 것으로서, 소형 경량화 추세의 휴대용 단말기의 전력 증폭 소자에 PHEMT를 사용하기 위해서, PHEMT를 3개의 전자 공급층과 그 전자 공급층 사이에 각각 전도층을 삽입한 이중 전도층 구조의 단일 전압형 PHEMT를 제공한다. 즉, 본 발명은 반절연성 기판(110)의 상부 에 형성된 완층층(120), 제 1 전자 공급층(130), 제 1 전도층(140), 제 2 전자 공 급층(150), 제 2 전도층(160), 제 3 전자 공급층(170), 공핍층(180), 표면층(190) 이 순차적으로 적층되고, 상기 표면층(190)의 일부가 제거되어 상기 공핍층(180)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 공핍층(180)의 상부에는 게이트 전극(210)이 형성되며, 상기 게이트 전극(210)의 양측에 잔류하는 상기 표면층(180)의 상부에는 소오스 또는 드레인 전극으로 사용되는 오믹 전극(200)이 형성된 구조로 이루어지는 단일 전압형 PHEMT를 제공함으로써, 디지탈 변조 방식의 휴대용 단말기에 사용하면, 휴대용 단말기를 소형 경량화 시킬 수 있고, 제조 원가를 절감시킬 수 있다.
Int. CL H04B 1/40 (2010.01) H01L 29/778 (2010.01)
CPC H01L 29/7786(2013.01) H01L 29/7786(2013.01)
출원번호/일자 1019990010085 (1999.03.24)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0331044-0000 (2002.03.20)
공개번호/일자 10-2000-0061203 (2000.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20020406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.24)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.03.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-0025734-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.30 수리 (Accepted) 4-1-1999-0122834-81
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2000-0012365-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0121853-41
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0175188-49
6 의견서
Written Opinion		 2001.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-0175189-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2001.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0365047-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 기판(110)의 상부에 형성된 완충층(120), 제 1 전자 공급층(130),

제 1 전도층(140), 제 2 전자 공급층(150), 제 2 전도층(160), 제 3 전자 공급층(170), 공핍층(180), 표면층(190)이 순차적으로 적층되고, 상기 표면층(190)의 일부가 제거되어 상기 공핍층(180)의 일부가 노출되고, 상기 노출된 공핍층(180)의 상부에는 게이트 전극(210)이 형성되며, 상기 게이트 전극(210)의 양측에 잔류하는 상기 표면층(180)의 상부에는 소오스 또는 드레인 전극으로 사용되는 오믹 전극(200)이 형성된 구조로 이루어지는 단일 전압형 PHEMT

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 공핍층(180)은 10∼300Å 두께 범위의 비도핑 AlGaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 표면층(190)은 상기 공핍층(180)의 상부에 n형 GaAs로 형성된 제 1표면층(192)과 상기 제 1 표면층(192)의 상부에 n+ GaAs로 형성된 제 2 표면층(194)로 이루어진 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 제 1 표면층(192)은 150∼250Å 두께 범위로 형성되고, 제 2 표면층(194)는 300∼400Å 두께 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

5 5

제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전도층(140)은,

상기 제 1 전자 공급층(130)의 상부에 비도핑 AlGaAs로 형성된 제 1 격리층(142), 상기 격리층(142)의 상부에 비도핑 InGaAs로 형성된 제 1 채널층(144), 상기 제 1 채널층(144)의 상부에 비도핑 AlGaAs로 형성된 제 2 격리층(146)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 제 1 격리층(142) 및 제 2 격리층(144)의 Al 조성비와 상기 제 1 채널층(144)의 In 조성비는 20∼30%인 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 제 1 격리층(142) 및 제 2 격리층(146)은 30∼40Å의 두께 범위로 형성되고, 상기 제 1 채널층(144)은 90∼110Å의 두께 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

8 8

제 1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 전도층(160)은, 상기 제 2 전자 공급층(150)의 상부에 비도핑 GaAs로 형성된 제 3 격리층(162)과 상기 제 3 격리층(162)의 상부에 비도핑 AlGaAs로 형성된 제 4 격리층(164)으로 이루어져, 상기 제 3 격리층(162)과 제4 격리층(164)의 계면에 양자 우물이 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

9 9

제 7 항에 있어서, 상기 제 3 격리층(162)은 40∼60Å의 두께 범위로 형성되고, 상기 제 4 격리층(164)은 25∼35Å의 두께 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

10 10

제 9 항에 있어서, 상기 제 4 격리층(164)의 Al 조성비는 20∼30%인 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

11 11

제 1 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 전자 공급층(130) 및 제 2 전자 공급층(150)은, Si 불순물을 플래너 도핑법으로 첨가하여 형성한 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전자 공급층(130) 및 제 2 전자 공급층(150)의 도핑 농도는, 2×1012/㎝2∼3×1012/㎝2인 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

13 13

제 1 내지 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3 전자 공급층(170)은, 100∼200Å 두께 범위의 n-AlGaAs로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

14 14

제 13 항에 있어서, 상기 제 3 전자 공급층(170)의 Al 조성비는 20∼30%인 것을 특징으로 하는 단일 전압형 PHEMT

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.