요약 | 본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 열안정성이 높고, 낮은 온도에서도 기화 특성이 우수하기 때문에 유기금속화학증착법 (MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 효율적으로 박막을 제조할 수 있다.(상기식에서, M, m, R1, R2, R3, 및 R4는 명세서 중에서 정의한 바와 같다.) |
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Int. CL | H01L 21/205 (2006.01) |
CPC | C07F 7/003(2013.01) C07F 7/003(2013.01) C07F 7/003(2013.01) C07F 7/003(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020000023027 (2000.04.29) |
출원인 | 학교법인 포항공과대학교 |
등록번호/일자 | 10-0338196-0000 (2002.05.14) |
공개번호/일자 | 10-2000-0071869 (2000.11.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20020527) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1019990015557 | 1999.04.30
대한민국 | 1020000003371 | 2000.01.25 |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2000.04.29) |
심사청구항수 | 8 |