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기질 표면에 형성되어 있는 아미노실란 분자층의 아민기를 아지리딘 유도체와 반응시키는 것을 특징으로 하는 기질상에 아민기 함유 분자층을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 아지리딘 유도체가 아지리딘 또는 보호된 아지리딘인 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 보호된 아지리딘이 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 아미노실란화된 기질이 보호된 아지리딘과 반응하는 경우, 아미노실란화된 기질과 아지리딘간의 고리 열림 중합으로 기질 표면에 분지 없이 선형 사슬(linear chain)이 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 아지리딘 유도체가 아지리딘인 경우, 아미노실란화된 기질과 아지리딘간의 고리 열림 중합으로 고분지(highly-branched) 상태의 폴리(에틸렌이민)을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 아미노실란화된 기질 표면은, 고분지 상태의 폴리(에틸렌이민)층이 형성된 기질 표면과 비교하여 그 형태가 유사한 구조로 평탄화된 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 아미노실란 분자층의 아민기와 아지리딘 유도체의 반응이, 아미노실란화된 기질을 아지리딘 유도체, 산촉매 및 용매를 포함하는 조성물에 담근 다음, 이를 불활성 가스 분위기하에서 가열하는 과정을 거쳐 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 아지리딘 유도체가 보호된 아지리딘인 경우, 가열후 트리아세트산을 이용하여 탈보호하는 과정을 거치는 것을 특징으로 하는 방법
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