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고분자 소재의 플라즈마 표면 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015186619
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용한 고분자 소재의 표면 처리 방법을 개시한다. 이 방법은 반응기내에 고분자 시료를 위치시키는 단계; 반응기 내부를 진공으로 만든 후, 소정 혼합비의 불활성 기체와 반응성 기체를 투입하는 단계; 플라즈마를 발생시키면서 교류 주파수 변환에 의하여 상기 고분자 시료의 표면에 친수성기를 도입하는 단계; 및 친수성기가 도입된 고분자 시료를 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리 방법에 따르면, 대량 처리가 가능하며 산소, 질소 등의 반응성 기체에 비하여 상대적으로 작은 질량을 갖고 있는 불활성 기체를 사용함으로써 친수성기 생성에 필요한 플라즈마 이온이나 라디칼의 생성을 증가시킬 수 있다. 그리고 시간이 경과됨에 따라 고분자 소재 표면이 재배열되는 현상을 방지하여 표면 개질 효과를 양호한 상태로 유지할 수 있다.
Int. CL B05D 5/00 (2006.01)
CPC B05D 3/141(2013.01) B05D 3/141(2013.01) B05D 3/141(2013.01) B05D 3/141(2013.01) B05D 3/141(2013.01)
출원번호/일자 1020000068193 (2000.11.16)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0038139 (2002.05.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬언 대한민국 경상북도포항시남구
2 유창모 대한민국 경상북도포항시남구
3 김광수 대한민국 경상북도포항시남구
4 김병균 대한민국 경기도부천시오정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 최흥수 대한민국 서울 서초구 서초동****-*벽천빌딩*층(필&온지국제특허법률사무소)
3 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-0241840-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2002-0028846-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0030926-43
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0110663-48
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0214325-84
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

(a) 반응기내에 고분자 시료를 위치시키는 단계;

(b) 반응기 내부를 진공으로 만든 후, 소정 혼합비의 불활성 기체와 반응성 기체를 투입하는 단계;

(c) 플라즈마를 발생시키면서 교류 주파수 변환에 의하여 상기 고분자 시료의 표면에 친수성기를 도입하는 단계; 및

(d) 친수성기가 도입된 고분자 시료를 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 불활성 기체가 헬륨, 네온, 아르곤, 크세논, 크립톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고,

상기 반응성 기체가 산소, 질소, 암모니아, 이산화탄소, 수증기, 수소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 불활성 기체와 반응성 기체의 혼합비가 1:99 내지 99:1 부피비인 것을 특징으로 하는 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 고주파 출력 파워가 10 내지 50W이고, 주파수가 3 내지 30MHz이고 플라즈마 처리 시간이 30초 내지 2분 30초인 것을 특징으로 하는 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.