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퍼지단계를 필요로 하지 않는 원자층 화학증착법

  • 기술번호 : KST2015186631
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 퍼지단계를 필요로 하지 않는 원자층 화학증착법(ALCVD)에 관한 것으로서, 10-1 내지 10-8 Torr의 반응기 압력 하에서, 원료기체와 반응기체의 온/오프(on/off) 펄스주입시간을 0.01 내지 10초로 조절하고, 원료의 증기압을 0.001 내지 1 Torr로 조절하는 본 발명의 ALCVD에 의하면, 종래의 ALCVD와는 달리 퍼지단계가 필요없어 1 싸이클 소요시간이 월등히 단축되며 싸이클 당 단원자층 이하의 박막을 정교하게 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01)H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020010034555 (2001.06.19)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0731925-0000 (2007.06.19)
공개번호/일자 10-2002-0096230 (2002.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이시우 대한민국 경상북도포항시남구
2 강상우 대한민국 서울특별시용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0146233-37
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0178419-16
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.08.02 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2001-0193787-00
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0259130-33
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0001429-49
7 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2007.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0084114-34
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0179455-46
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0141205-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 화학증착법에 있어서, 10-1 내지 10-8 Torr의 반응기 압력 하에서, 기판이 위치한 반응기로의 원료기체와 반응기체의 온/오프(on/off) 펄스주입시간을 0
2 2
제 1 항에 있어서, 기판의 온도를 50 내지 500℃로 조절하는 것을 특징으로 하는 원자층 화학증착법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항의 원자층 화학증착법에 의해 제조된 박막
4 4
제 3 항의 박막을 포함하는 반도체 소자
5 4
제 3 항의 박막을 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.