| 1 |
1
알킬기, 알콕시기, 또는 아릴기로 치환되었거나 또는 비치환된 말단 방향족 고리를 갖는 방향족 이민 분자층을 기질 상에 형성하는 단계; 저에너지 전자빔을 조사하여 상기 방향족 이민 분자층의 이민 결합을 선택적으로 구조 변환시키는 단계; 및 상기 이민 결합이 선택적으로 구조 변환된 상기 방향족 이민 분자층을 가수분해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 알킬기, 알콕시기, 또는 아릴기로 치환되었거나 또는 비치환된 말단 방향족 고리를 갖는 방향족 이민 분자층은, 기질상에 자기조립된 아미노실란 분자층 또는 아미노티올 분자층의 아민기와, 알킬기, 알콕시기 또는 아릴기로 치환되었거나 또는 비치환된 방향족 고리를 갖는 방향족 알데히드를 반응시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 치환 또는 비치환된 말단 고리를 갖는 방향족 알데히드는 공역화 또는 비공역화된 것임을 특징으로 하는 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 치환 또는 비치환된 말단 고리를 갖는 비공역화 방향족 알데히드가 하기 화학식 1의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 치환 또는 비치환된 말단 고리를 갖는 공역화 방향족 알데히드가 하기 화학식 2, 3 또는 4의 화합물인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 기질이 실리카기판 또는 금기판인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 방향족 이민 분자층의 이민 결합의 선택적 구조 변환은 소정 패턴을 갖는 광마스크를 상기 방향족 이민 분자층 상에 위치시킨 후 저에너지 전자빔을 조사함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 저에너지 전자빔이 5000eV 이하의 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 9 |
9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 얻어진 기질로서, 표면에 친수성 아미노 분자층 및 소수성 방향족 이민 분자층이 각각 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 기질
|
| 10 |
10
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 나노 수준의 패턴이 형성된 기질 상에 디블럭 공중합체를 코팅 및 열처리한 후, 에칭처리하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 디블럭 공중합체가 폴리(스타이렌-블럭-메틸메타크릴레이트)인 것을 특징으로 하는 소자
|
| 12 |
12
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 패턴이 형성된 기질 상에 존재하는 아민기에 단백질, DNA 또는 RNA를 결합시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 바이오칩
|
| 13 |
12
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 얻어진 패턴이 형성된 기질 상에 존재하는 아민기에 단백질, DNA 또는 RNA를 결합시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 바이오칩
|
