요약 | 본 발명은 기판 미세가공을 이용한 삼각 산맥 구조물 및 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 (100) 실리콘 기판 상부 및 하부에 각각 제 1 및 제 2절연막을 형성하고, 제 1절연막 상부에 삼각 산맥 구조물의 산맥 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴에 맞추어 제 1절연막을 식각하여 식각 마스크 패턴을 형성한 후에, 감광막 패턴을 제거하고, 식각 마스크 패턴에 의해 드러난 기판을 방향성 습식 용액을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 기판 미세가공으로 삼각 골짜기를 형성하고, 식각 마스크 패턴 및 제 2절연막을 제거하여 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀을 형성한다. 이러한 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀에 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한, 삼각 산맥 구조물의 실리콘 성형틀로 사출 성형, 압출 성형, 또는 핫 엠보싱 공정 등을 위한 금속 형틀도 만들 수 있어 위 공정들을 통한 삼각 산맥 구조물의 대량 생산도 가능하다. 그러므로, 본 발명은 기판 미세 가공 기술을 이용하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 대량으로 생산할 수 있다. |
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Int. CL | B29C 33/38 (2006.01) |
CPC | B29C 33/3857(2013.01) B29C 33/3857(2013.01) B29C 33/3857(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020010062809 (2001.10.12) |
출원인 | 학교법인 포항공과대학교 |
등록번호/일자 | 10-0466807-0000 (2005.01.07) |
공개번호/일자 | 10-2003-0030599 (2003.04.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20050124) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2001.10.12) |
심사청구항수 | 5 |