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겔 템플레이트를 이용한 전도성 고분자 막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015186670
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계, 나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계, 다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계, 라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및 마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법을 제공한다.본 발명은 유기 및 무기 겔 템플레이트를 이용하여 전도성 고분자를 합성한 후 겔을 제거함으로써 겔의 적절한 선택에 의하여 원하는 공극율을 갖는 전도성 고분자 막을 만들 수 있는 장점이 있으며 종래의 방법으로는 도달할 수 없는 높은 밀도를 가진 전도성 고분자 막을 제조할 수 있으므로 높은 에너지 밀도를 갖는 전극을 만들 수 있다는 장점이 있다.무기 겔, 유기 겔, 졸-겔 법, 전도성 고분자, 템플레이트
Int. CL C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01)
출원번호/일자 1020010052950 (2001.08.30)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0429913-0000 (2004.04.21)
공개번호/일자 10-2003-0018696 (2003.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20040504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건홍 대한민국 경상북도포항시남구
2 성주환 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0221812-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0035825-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0504223-05
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-5026645-06
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0108435-87
7 의견서
Written Opinion		 2004.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0108434-31
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0123686-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

가) 전극의 표면에 무기 및 유기 졸 용액을 코팅하는 단계,

나) 코팅한 막을 겔화 하는 단계,

다) 상기 겔화가 끝난 겔에 함유된 용매를, 아닐린, 피롤, 씨오펜 및 아세틸렌과 이들의 유도체 중에서 선택되는 전도성 고분자 단량체를 포함한 전해액으로 치환하는 단계,

라) 전해액으로 치환된 전극을 작동 전극으로 하여, 정전류법, 정전압법 및 순환전압법 중에서 선택되는 전기화학적 방법으로 전도성 고분자를 합성하는 단계, 및

마) 겔을 제거하는 단계를 포함하는 전도성 고분자 막의 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 무기 겔은 실리카, 알루미나, 붕산염, 타이타니아 및 바나듐 옥사이드를 포함하는 무기물 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 유기 겔은 리소시놀-포름알데히드, 폴리우레탄을 포함하는 고분자 물질 및 한천, 젤라틴 겔 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 합성용 전극은, 백금 및 금 중에서 선택되는 금속과 유리상 탄소, 흑연, 탄소 에어로졸을 포함하는 탄소 전극 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 방법

5 5

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6 6

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