5
1) 기판 표면에 저응력 질화 박막을 형성하는 단계; 2) 열원과 센서 형상을 형성하기 위하여 질화 박막 위에 금속층을 증착하는 단계; 3) 금속층 위에 감광성 폴리머를 회전도포한 후 자외선 마스크로 열원과 센서 형상을 형상식각하여 첫 번째 층을 형성하는 단계; 4) 첫 번째 층의 열원 및 센서 구조물 위에 제 1 절연층을 형성하는 단계; 5) 제 1 절연층 위에 최상위전극을 형성하기 위하여 금속층을 증착하는 단계; 6) 금속층 위에 감광성 폴리머를 회전도포한 후 자외선 마스크로 최상위전극 형상을 형상식각하여 두 번째 층을 형성하는 단계; 7) 단계 6)에서 얻은 기판의 뒷면에 감광성 폴리머를 회전도포한 후 자외선 마스크로 에칭 마스크 형상을 형상식각하는 단계; 8) 실리콘을 식각하고 저응력 질화 박막을 형성한 후 절연 실리콘 산화막을 제거하는 단계; 9) 두 번째 층의 최상위전극의 노출부위와 절연부위 사이에 제 2 절연층을 형성하는 단계; 10) 최상위전극의 노출부위와 전극패드를 노출시킨 후 열원과 센서의 전극패드 이외의 절연층을 제거하는 단계; 11) SU-8 50을 도포하여 시료 유출입구와 반응용기 형상을 갖는 구조물을 제작하는 단계; 12) SU-8 구조물의 표면을 실란화시킨 후 PDMS (polymethylsiloxane)를 부어 반응용기 구조물을 얻어 MEMS 소자를 구성하는 단계; 및 13) 상기와 같이 제작된 MEMS 소자에 외부 제어기를 연결하고 하부에 펠티어 소자를 결합하여 전체 다중핵산 증폭장치를 제작하는 단계를 포함하는, 제 1항의 MEMS 소자를 이용하여 선택적 다중핵산 증폭장치를 제작하는 방법
|
