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챔버 내에 기판을 로딩하는 단계;상기 챔버 내로 원료 기체로서 구리1가 전구체를 펄스 형태로 주입하여, 상기 기판 상에 상기 구리1가 전구체를 화학 증착시키는 단계와 상기 챔버 내로 퍼지 기체를 펄스 형태로 주입하는 단계를 포함하며, 상기 기판에 증착된 구리 1가 전구체는 열분해에 의하여 구리 금속으로 전환되는 유기 금속 화학 증착법에 의한 구리 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구리 1가 전구체는 (β-디케토네이트)CuLn이고, L은 리간드를 표시하며, n은 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 L은 3,3-디메틸-1-부텐 (3,3-dimethyl-1-butene : DMB), 트리메틸포스핀 (trimethylphosphine : PMe3), 2-부틴 (2-butyne), 1,5-사이클로옥타디엔 (1,5-cyclooctadiene : 1,5-COD), 비닐트리메틸실란 (vinyltrimethylsilane : VTMS), 비닐트리메톡시실란 (vinyltrimethoxysilane : VTMOS), 비닐트리에톡시실란 (vinyltriethoxysilane : VTEOS) 및 알릴트리메틸실란 (allyltrimethylsilane : ATMS)로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 β-디케토네이트는 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-아세틸아세토네이트 (1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-acetylacetonate : HFAC)인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 β-디케토네이트는 HFAC이며, 상기 L은 DMB인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 퍼지 기체는 H2, N2, 및 Ar으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 구리 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구리1가 전구체를 펄스 형태로 주입하는 단계는 버블러 시스템에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 구리 박막의 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구리1가 전구체의 증착 온도는 50 내지 150℃인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구리1가 전구체의 증착 온도는 70 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 구리 박막 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 구리1가 전구체의 펄스 형태의 주입 시 그 주입 지속 시간은 2
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제 1 항에 있어서, 상기 구리1가 전구체의 펄스 형태의 주입 시 그 주입 지속 시간은 2
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