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반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186687
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드 원료기체를 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 기존의 방법보다 획기적으로 낮은 온도에서 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 29/517(2013.01) H01L 29/517(2013.01) H01L 29/517(2013.01)
출원번호/일자 1020020010396 (2002.02.27)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0425533-0000 (2004.03.19)
공개번호/일자 10-2003-0070947 (2003.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20040330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이시우 대한민국 경상북도포항시남구
2 강상우 대한민국 서울특별시용산구
3 김원규 대한민국 경상북도울릉군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0058162-31
2 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0491274-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

원자층 화학증착법에 의한 금속 실리케이트 박막의 제조에 있어서, 원료기체로서 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 박막의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

금속 알콕시드가 지르코늄, 알루미늄, 하프늄 또는 비스무스의 탄소 원자 1 내지 5개의 알콕시드화물인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

금속 알콕시드가 지르코늄 테트라-t-부톡시드(Zr(OtBu)4)인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

실리콘 할라이드가 SiCl4-xHx(이때, x는 0, 1, 2 또는 3이다)인 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

실리콘 할라이드가 실리콘 테트라클로라이드(SiCl4)인 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

원료기체를 100 내지 300℃의 온도에서 증착시키는 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 금속 실리케이트 박막

8 8

제 7 항의 금속 실리케이트 박막을 게이트 절연막으로서 포함하는 반도체 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.