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탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기

  • 기술번호 : KST2015186699
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(deep-level transient spectroscopy)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조, 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침, 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부, 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 시료 지지부를 냉각하기 위해 시료 지지부 하부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부, 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부, 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대, 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 진공조 내에 고정 설치되는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 구성된다.
Int. CL G01N 27/22 (2006.01)
CPC G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01)
출원번호/일자 1020020015107 (2002.03.20)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0479846-0000 (2005.03.22)
공개번호/일자 10-2003-0075746 (2003.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20050330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도포항시남구
2 최경진 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0081463-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0054802-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0261099-85
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0387682-68
6 의견서
Written Opinion
2004.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0387681-12
7 등록결정서
Decision to grant
2005.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0074622-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
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깊은 준위 과도 전기 용량 분광기에 있어서, 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조; 상기 진공조 내로 도입되어 전기적 연결을 위해 상기 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침; 상기 진공조 내에서 상기 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부; 상기 시료 지지부의 냉각에 의해 상기 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 상기 시료 지지부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부; 상기 시료 지지부의 가열에 의해 상기 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부; 상기 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 상기 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 상기 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대; 상기 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 상기 진공조 내에 고정 설치되어 상기 수평 지지대에 연결된 수평 지지대; 및 상기 탐침을 통해 상기 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 상기 온도 변화에 따른 상기 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기
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