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갈륨나이트라이드계 반도체를 이용한 자외선 검출 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186701
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자의 쇼트키 접합층으로 채용한다. 이렇게 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 쇼트키 접합층으로 사용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 광학적 투과도가 높아 양자 효율(quantum efficiency)이 높아짐으로 반응도가 향상되고, 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020020015109 (2002.03.20)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0075748 (2003.09.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김종규 대한민국 서울특별시강동구
3 장호원 대한민국 경상북도의성군
4 전창민 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0081465-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058910-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0163087-61
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0277545-19
6 의견서
Written Opinion		 2004.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0277544-74
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0537160-13
8 복대리인(특허법인)선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent (Patent \\& Law Firm)		 2005.07.01 접수중 (On receiving) 7-1-2005-5017813-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
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번호 청구항
1 1

기판;

상기 기판 상에 형성된 갈륨나이트라이드계 광흡수층;

상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 쇼트키 접합되고 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN인 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자

3 3

제1항에 있어서, 상기 기판 상에는 갈륨나이트라이드 버퍼층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자

4 4

기판 상에 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성하는 단계;

상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층 상에서 이리듐 또는 루테늄막으로 이루어진 전도성 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 전도성 금속막 패턴을 열처리하여 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

5 5

제4항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 GaN, InGaN 또는 AlGaN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

6 6

제4항에 있어서, 상기 갈륨나이트라이드계 광흡수층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 갈륨나이트라이드 버퍼층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

7 7

제4항에 있어서, 상기 쇼트키 접합층을 형성하는 단계 후에 상기 쇼트키 접합층이 형성된 기판 전면에 반반사층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 반반사층은 실리콘 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

9 9

제4항에 있어서, 상기 전도성 금속막 패턴은 상기 기판 상에서 빗살 무늬 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.